技术编号：7083453
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种具有自补偿背封层的半导体衬底。该衬底包括具有第一掺杂浓度的第一导电类型的基片；位于所述基片的下表面和侧壁上具有第二掺杂浓度的第二导电类型的补偿层，第二导电类型不同于第一导电类型；位于所述补偿层外覆盖所述基片下表面和至少部分侧壁的氧化硅层；和位于所述氧化硅层外的本征多晶硅层。根据本实用新型的半导体衬底解决了背面自掺杂效应和边缘效应引起轻掺杂外延气氛反型，从而导致片内边缘或整片生长成同型外延的问题。采用本实用新型的自补偿背封工艺，即使是用常...
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