技术编号：7062376
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接触的情况下，能形成大约0.5ev的势垒。形成之势垒表现为接近金属电极的GaN内部能带弯曲，形成空间电荷区可以进行分离电子空穴，从而产生光生电动势和光生电流。通过引入表面缺陷的方法可以大大提高探测器的响应度。这一结构工艺简单，效率高；从而增加...
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