技术编号:7045367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出一种新的生长紫光LED外延的方法,适合波长范围365-420nm,能够很大程度降低紫光LED的生长难度,同时提升紫光LED的辐射功率,并有效提高了紫光LED器件的可靠性。本发明中采用掺杂n型AlGaN/GaN超晶格结构,其中的势垒层AlGaN和势阱层GaN周期性交替掺杂,可以集中n型载流子浓度,不同层的浓度呈现周期浓度变化,周期性电导的变化能够使得电流扩散更好,同时电导变化区加宽,使得线性缺陷的漏电通道穿透效果减弱,能够降低正向电压,提高ESD。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。