技术编号：6988979
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体器件和用于制作这种器件的方法。更具体地，本发明描述了包含一种三维(3D)沟道结构的半导体器件和用于制作这些器件的方法。2.背景技术在集成电路(IC)制造中，诸如晶体管这样的半导体器件可以在典型地由硅制成的半导体晶片或衬底上形成。一类器件，金属氧化硅场效应晶体管(MOSFET)器件，能在许多应用中得以广泛使用，包括汽车用电子设备、磁盘驱动器以及电源。通常地，这些器件的功能是作为开关，并且用它们将电源连接至负载(load)。当开关关闭时，...
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