技术编号：6986363
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，更具体地，涉及一种能够提高沟道迁移率的绝缘栅双极型晶体管。背景技术近年来，为了在半导体器件中实现高反向击穿电压和低损耗，也为了实现在高温环境中利用半导体器件，开始采用碳化硅(SiC)作为半导体器件的材料。碳化硅是宽带隙半导体，其具有比常规广泛用作半导体器件的材料的硅(Si)更大的带隙。因此，采用碳化硅作为半导体器件的材料将在半导体器件中实现高反向击穿电压、减小的导通电阻等。此外，当在高温环境中使用这种利用碳化硅作为其材料形...
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