技术编号:6969789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极体晶粒,特指一种。目前常用的如附图说明图1-图4所示,其制造步骤如下步骤1在基板1上形成活化层2;步骤2在活化层2的上方形成凸出状似垒形的第二电极4,在基板1的下方形成与基板1完全平行的第一电极3;步骤3分别在两个第二电极4之间预切割位置5,进行晶粒切割,制成异质磊晶发光二极体晶粒。其主要缺陷在于基板1(N)层上加上活化层2(P层)形成P/N接面磊晶发光层,其发出的光线经由正面及侧面射出发亮,但朝背面基板1方向行进的光线,会因背面基板1的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。