技术编号：6949385
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及介电膜和使用该介电膜的半导体器件的制造方法。 背景技术近来，构成半导体集成电路的MOSFET的栅绝缘膜在尺寸和厚度方面有所降低，当 将SiO2膜用作栅绝缘膜时，如果其厚度为2nm以下(这是近来的需求值)则产生隧道电流， 且栅漏电流增加。因此，近年来，已研究用具有比SiO2膜相对介电常数更高的相对介电常 数的高介电常数材料代替栅绝缘膜材料。即使当绝缘膜的实际膜厚度增加时，该方法也能 降低SiO2等效氧化层厚度(EOT)。要求由具有栅长度22nm以下...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。