技术编号：6942853
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子制造，特别涉及，该方法 避免了溅射、电镀、CVD等传统小孔填充方法的小孔填充质量不好、成本高等缺陷，在突破传 统金属插塞电极制备成本高、过程复杂的限制及提高相变存储器存储密度以及器件性能等 方面具有很大的优越性。背景技术相变存储器 PRAM (phase change random access memory, PRAM)是一种新兴的半 导体存储器，与目前已有的多种半导体存储技术相比，包括常规的易失性技术和非易失性 技术，具有元件尺寸小、功...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。