技术编号：6942484
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造具有顶部和底部接触结构的GaN基垂直结构半导体器件以及一 种用于制造垂直结构器件的方法。背景技术图1示出在绝缘蓝宝石衬底114上制造的传统氮化镓(GaN)基(GaN-based)半导 体器件100。该器件可应用于诸如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、异质结双极晶体管 (HBT)、和高电子迁移率晶体管(HEMT)。在传统工艺中，该器件形成在蓝宝石衬底上，并且两 个电接触部形成于器件的顶部上。P型接触部(p-contact)102形成在顶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。