技术编号:6929555
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明设计半导体制造领域,且特别涉及一种。背景技术集成电路制造技术随着摩尔定律而快速向着微小化方向发展,晶片尺寸因集成度提高而不断縮小以增加晶片单位面积的元件数量。生产线上使用的线宽(critical dimension, CD)已由次微米进入纳米领域,并且变得越来越重要,因此对于光刻工艺的要求也越来越高,所使用的深紫外光(DUV)曝光光源已由248nm逐步向193nm的波长发展,甚至更小的波长也在进一步研究之中。由于在曝光时入射光到达光阻顶层后会反射,导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。