技术编号:6904045
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,更具体地说,涉及BCD集成工艺中的匿OS制造工艺。 背景技术BCD是一种单片集成工艺技术,这种技术能够在同一芯片上制作双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor), CMOS禾P DMOS器{牛。BCD工艺不仅综合了双极器件高跨 导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点,而且集成进了开关速度很快的匿OS 功率器件。由于匿OS同时具有高速和大电流能力的特性,耐压通常也较高,因而用BCD工 艺制造...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。