技术编号：6901685
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造高集成度半导体存储装置的方法，更具体 地说，涉及一种形成半导体存储装置的单元阵列中所包括的多个单位 单元及位线的方法。背景技术一般来说，在根据导电率对材料分类的情况下，半导体为这样 一种材料其属于介于导体与非导体之间的材料种类。虽然半导体类 似于处于无掺杂状态的非导体，但通过添加杂质或其它操作可增加半 导体的导电率。在半导体中添加杂质，然后将半导体连接至导体从而用于制造诸如晶体管等半导体器件。半导体装置指一种由半导体器件 形成的具有各种功...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。