技术编号：6898952
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光检测器，特别是水平入口光检测器，例如金属-半导体-金属(m-s-m)检测器，p-i-n检测器和水平入口分离式吸收和倍增(SAM)雪崩检测器等。硅(Si)雪崩光二极管(APD)工作在模拟模式时具有很低噪声的雪崩增益，因而在短波长下最好采用Si材料，此时Si是一个在短波长下的很好的吸收体。工作在盖革(Geiga)模式下的Si雪崩检测器目前是短波长下最好的甚低电平光检测器，此时Si是一种很好的光吸收体。商用Si单个光子雪崩检测器(SPAD)可提供约3...
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