技术编号：6872516
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及陶瓷的烧成方法，特别是涉及。在现有技术中，国外涉及电子陶瓷半导化的还原烧成气氛主要采用N2、H2混合气，此外也有采用CO或其它惰性气体。采用N2、H2混合气时，H2的含量一般应控制在10％以下，甚至是在6％以下，以确保安全。国内很早就采用氨分解产生的高温还原气氛烧制绝缘陶瓷的贱金属电极，1996年该方法开始应用于生产SrTiO3环形压敏电阻器。公开号为CN1211050A的中国发明专利申请“晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法”中提出采用氨分...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。