技术编号：6855106
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米技术的应用，特别涉及纳米尺度的二极管及其制造方法。随着半导体工业的飞速发展，超大规模集成电路中的电子元件尺寸已经达到0.15微米，传统的制造工艺已经接近尺度的经典极限，而且在更小的尺度下，量子效应越来越显著，不能用经典的电路理论来解释。隧道二极管是以量子遂穿效应为基础的电子器件。其电学特征表现为在测量其伏安(I-V)特性曲线时，在某一电压区域，随着电压的增大，电流反而减小，即在这一区域，电流对电压的微分为负数，这一区域称为负微分电导区。对不同...
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