技术编号：6834716
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率MOS晶体管的制造方法，特别是涉及一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构的制造方法。背景技术 随着功率MOS器件的发展，人们对器件的性能有更高的要求。其中静电保护结构(Electricity Static Discharge，简称ESD)是很重要的一项。在功率MOS器件中增加ESD，已有方法是在原有制造MOS器件工艺流程中通过增加专门用于形成ESD的光刻工序，然后通过离子注入的方法形成ESD的PN结，从而形成ESD。这样的方法步骤较多，不...
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