技术编号:6827053
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。具体而言,本发明涉及对于Al和Cu布线以及其他金属布线的防腐蚀性优良的,同时光刻胶膜和灰化残渣物的剥离性优良的。本发明优选适用于制造IC或LSI等半导体元件或液晶板元件。背景技术 IC或LSI等半导体元件或液晶板元件的制造方法是,在硅片等基板上用CVD蒸镀法等形成导电性金属膜或SiO2膜等绝缘膜,再在该膜上均匀涂布光刻胶,将其进行选择性的曝光、显象处理,形成光刻胶图案,以该图案为掩模,选择性地蚀刻上述CVD蒸镀的导电性金属膜或绝缘膜,形成微细回...
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