技术编号:6813729
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种。 背景技术随着半导体制造工艺的发展,半导体芯片的面积越来越小,因此半导体工艺的精度也变得更加重要。在半导体制造工艺中,其中一个重要的工艺就是光刻,光刻是将掩膜版上的图案转移为晶片上的光刻图案的工艺过程,因此光刻的质量会直接影响到最终形成的芯片的性能。由于衬底的主要成分为二氧化硅(SiO2),其中,位于衬底表面的硅离子可与空气中水分子的羟基(-0H)相结合,从而在衬底表面生成带有羟基的化合物,带有羟基的化合物通常都具有...
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