技术编号：6783396
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器件和存储器系统，它们特别适用于伪静态随 机访问存储器(pseudo-SRAM)。背景技术伪SRAM是半导体存储器件之一，其中用于存储数据的存储单元是由 和DRAM (动态随机访问存储器)相同的单元组成的，而它的外部接口与 SRAM相互兼容。伪SRAM具有与SRAM相比，以更低的位开销实现更 大容量的DRAM特性，并且具有和SRAM—样的可用性，因此实现了系 统设计的容量和便利性的提高。例如，低功率(低功耗)的伪SRAM被用 作蜂窝电话...
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