技术编号：6770458
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器电路，尤其涉及控制存储器电路中的泄漏。 背景技术在很多应用中都用到了静态随机存取存储器(SRAM)。此类应用包括高速缓冲存储器、寄存器文件、缓存器等等。不同于与之相对的动态RAM(DRAM)，SRAM不需要通过周期性刷新来保持其内容。然而，SRAM会受到泄漏电流的影响。SRAM可以用多个存储器单元实施，其中每一个存储器单元都被配置成存储一信息比特。每一个存储器单元都可以包括多个晶体管。给定的存储器单元的不同晶体管可以是活动的(即开启)，以便...
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