技术编号:6292874
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,尤其涉及栅电介质层形成过程中使用的温 度控制系统及方法。背景技术集成电路通常由很多包含栅氧化层的晶体管构成,由于栅氧化层的厚度对 晶体管的性能有重要影响,因此在集成电路的制作过程中,栅氧化层的形成是 重要流程。栅氧化层的形成原理为通过具备氧化性的氧化物,在一定温度范围内, 将待生长栅氧化层的区域氧化,从而在待生长栅氧化层的区域上,生长出栅氧 化层。目前在制作4册氧化层的过程中,通常选用二氯乙烯C2H2C12 (DCE, Dich...
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