技术编号:5947155
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明用于半导体光电子信息,具体涉及基于微动元调制GaN HEMT (氮化镓高电子迁移率晶体管)沟道电流的红外探测器。背景技术目前热探测器型红外探测器优选发展方向是能在室温下工作,具有高探测率,高响应速度,有波长选择性,高可靠性,已集成阵列等方向,目前国际上提出了一系列压阻式、电容式及常规FET信号转换的红外探测器的结构,这些结构虽然在一定范围内取得了很大进展,可是各个结构仍然存在问题。问题一如附图I所示,是一种基于电子隧穿机制的微机械位移的高灵敏度、非致...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。