技术编号：36268515
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。tem样品及其制备方法技术领域.本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，特别涉及一种tem样品及其制备方法。背景技术.透射电子显微镜(transmission electron microscope，简称tem)，是利用高能电子束穿透tem样品发生散射、吸收、干涉及衍射等现象，在成像平面形成衬度，从而得到tem样品的图像。通过对tem样品的图像进行观察、测量以及分析，可以获得tem样品的尺寸、形貌等特征。而利用聚焦离子束(focused ion beam，fib)制备tem样品是半导体集成电路...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。