技术编号:3419794
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)设备及其生长薄膜材料的工艺方法,特别是涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌(ZnO)薄膜的MOCVD设备及其工艺。氧化锌(ZnO)材料是继氮化镓(GaN)之后世界热点研究的又一种重要宽带隙半导体材料,其带隙和晶格常数与GaN非常接近,晶型相同,有相近光电特性。而ZnO还具有更高的熔点和激子束缚能,激子增益更高,外延生长温度低、成本低,容易刻蚀而使后继加工工艺更方便等优于GaN的多种特性,显示出比GaN具有更大...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。