技术编号：3311743
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,所述方法包括采用粒径范围为10～120微米，纯度大于95wt%的二硅化钽粉，运用真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺将二硅化钽粉喷涂于预处理的耐高温基体材料表面，即得二硅化钽涂层，所述等离子体喷涂工艺的参数为等离子体气体Ar30-50slpm；等离子体气体H28-18slpm；粉末载气Ar1.5-5slpm；喷涂距离100-350mm；喷涂功率30-58kW；送粉速率8-30g·min-1；喷涂压力100-800mbar。专利说明[000...
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