技术编号：2933884
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种离子植入，特别是涉及一种带状离子束植入机系 统的架构。背景技术离子植入为用于将导电性更改杂质引入或掺杂进半导体晶圆中的 标准技术。典型的离子植入过程使用高能离子束来将杂质引入工件(work piece),即，半导体晶圓中。如所熟知的，以均一深度以及剂 量来将杂质引入晶圓中以确保将形成的半导体装置适当地操作为重要的。请参阅图1所示，三维地示意性展示离子进入晶圓中的现有习知 的植入。X-轴以及Y-轴组成横向离子束扫描平面。离子束是(希望) 平行于...
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