技术编号：11925561
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种具有漂移区的高压无结场效应器件及其形成方法。背景技术作为第三代半导体材料的典型代表宽禁带半导体，氮化镓(GaN)具有许多硅(Si)材料所不具备的优异性能，GaN是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料，在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步，特别是大直径硅基GaN外延技术的逐步成熟并商用化GaN功率半导体技术有望成为高性能低功耗技术解决方案，从而GaN的功率器件受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。与传统的MOSFET不同，无结场效...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。