技术编号：11583042
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请基于2016年2月2日申请的日本专利申请第2016－018314号和2016年11月29日申请的日本专利申请第2016－231407号的优先权利益，将该日本申请的全部内容作为参照文献编入于此。本发明涉及一种通过一边使基板公转一边向基板供给处理气体而对基板进行处理的技术。背景技术在半导体装置的制造工序中，为了在作为基板的半导体晶圆(以下记载为晶圆)上成膜出用于形成蚀刻掩模等的各种膜，例如进行ALD(AtomicLayerDeposition原子层沉积)。为了提高半导体装置的生产率，上述的AL...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。