技术编号:11546662
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,更具体而言涉及连续等离子体中的原子层蚀刻。背景技术多年来已经研究了原子级的等离子体蚀刻。传统的等离子体蚀刻工艺通常使用反应离子和反应化学物质以高蚀刻速率进行,但由于等离子体的反应性,蚀刻工艺通常导致在待蚀刻材料下面的层的不期望的蚀刻。发明内容本文提供了基于通过评估待蚀刻材料和用于蚀刻材料的化学物质确定的去除能量阈值使用自限制反应来蚀刻衬底的方法和装置。实施方式涉及在工艺条件下的连续等离子体的流动,以允许受控的自限制各向异性蚀刻,而不在用于蚀刻衬底上的材料的化学物质之间交替。...
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