技术编号：11455862
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设备制造技术领域，具体涉及一种均流装置及反应腔室。背景技术等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备主要用于对蓝宝石或硅片表面进行沉积镀膜，PECVD设备的反应腔室作为镀膜发生场所，其结构尤其重要，进行沉积镀膜的很多重要指标都与腔室结构紧密相关，例如气流均匀性、腔室大小，腔室导电性能等，PECVD设备一般采用射频盖和喷淋盘组成均流装置,目的是使反应气体更加均匀的进入反应区域，将薄膜沉积到晶片上，进行反应，进气的均匀性很重要，能够间接反应区域的气流均匀性，同时，均流装置的密闭性和导...
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