技术编号：11455860
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备。背景技术随着半导体14/16纳米工艺的发展，TiN高密度膜开发已经成为TiN硬掩膜PVD设备研发的重点技术。为获得质量更好的TiN薄膜，需要在耙材上同时加直流功率与甚高频射频功率，其中甚高频(Veryhighfrequency，VHF)是指由30MHz到300MHz的频带。耙材上的直流负压能够在磁场的辅助下，离化气体产生等离子体，并吸引正离子轰击耙材进行溅射沉积，甚高频射频功率的引入能够进一步促进气体离化率...
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