技术编号：11277901
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例关于半导体装置的形成方法。背景技术半导体集成电路(IC)产业已快速成长一段时日。IC设计与材料的技术进展，使每一代的IC均比前一代的IC具有更小且更复杂的电路。在IC进化中，功能密度(如单位芯片所具有的内连线装置数目)越来越大，而几何尺寸(如工艺所能形成的最小构件或线路)则越来越小。上述尺寸缩小的工艺的好处在于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小也增加IC工艺的复杂性。为了实现这些进展，需要发展IC工艺。虽然制作IC装置的现有方法一般已适用于其发展目的，但无法完全符合所有需求。举例来说，...
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