技术编号：11136461
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路加工技术领域，更具体地，涉及一种炉管的氮气冷却系统及使用该系统对晶圆和晶舟进行冷却的方法。背景技术集成电路持续往高密度方向发展，在一块越来越小的芯片上，整合了越来越多的组件，使得芯片对缺陷的容忍度越来越低，更多更小尺寸的缺陷也逐渐成为了良率杀手。集成电路的缺陷即晶圆上存在的有形污染与瑕疵，主要包括：晶圆上的异物(微尘，工艺残留物，不良反应生成物等)，图形缺陷(光刻或刻蚀造成的异常成像，机械性刮伤变形，厚度不均匀造成的颜色异常等)，化学污染(残留化学药品，有机溶剂等)，材质...
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