技术编号:10988118
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。可变电容器允许通过电子或机械手段改变电容。可变电容器可用于阻抗匹配,设置电路中的谐振频率,等等。一些可变电容器包括金属-绝缘体-金属(MM)架构。一些现有M頂电容器包括钛酸锶钡(BST)层。利用BST层的可变电容器通过施加电压来改变电容。实用新型内容根据本公开的一个方面,提供了一种无源可调谐集成电路,包括半导体管芯,所述管芯具有多个钛酸锶钡可调谐电容器,所述多个钛酸锶钡可调谐电容器共同界定所述管芯的电容性区域;至少一个电触点,所述至少一个电触点与所述多个钛...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。