技术编号：10614440
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在现代的集成电路中(如微处理器、储存装置等等)，是在有限的芯片面积上提供非常大量的电路元件，特别是晶体管。晶体管有各种形状和形式，例如，平面晶体管、FinFET晶体管、纳米线装置等等。晶体管通常是NMOS(NFET)或PMOS (PFET)装置，其中“N”和“P”的指示是基于用于创造该装置的源极/漏极区的掺杂物类型。所谓的CMOSKomple-mentaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)技术或产品指的是同时使用N...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。