技术编号：10586744
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。氧化铟(In2O3)是一种N型半导体材料，迄今为止，制备形貌和尺寸均一的氧化铟的方法只涉及到简单模板，例如碳小球、氧化铝多孔膜、草酸、甘油、十二烷基硫酸钠、聚乙二醇辛基苯基醚等，而以阳离子型的表面活性剂如十六烷基三甲基溴化铵作为分散剂时，因为与金属铟离子间的排斥作用，一般只能限制粒子尺寸而无法起到控制氢氧化铟/氧化铟形貌的作用。发明内容本发明目的是提出一种形貌可控的碗状氢氧化铟/氧化铟微纳材料的制备方法。本发明包括以下步骤 1)将偏苯三甲酸、十六烷基三甲...
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