技术编号：10571468
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。LED芯片在其制造和操作期间对于静电压是敏感的，当LED芯片电极间静电压过高时，会在正负电极之间瞬间放电，对LED芯片造成永久损伤。因此LED芯片需要ESD保护。目前常规的LED的ESD防护结构是采用相对的一组齐纳二极管，该ESD防护结构常见于倒装结构LED芯片，由于其需要使用到齐纳二极管制造工艺，无法集成在LED芯片制造工艺中，常见结构都是芯片外接一个独立的齐纳管组作为ESD防护电路。发明内容本发明目的是提出采用Mos绝缘栅场效应晶体管作为ESD防护电路...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。