技术编号:10529374
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在单晶硅的制造工艺中,最常使用的是直拉法(Czochralski,缩写CZ),在直拉法 中,多晶硅是填充在石英玻璃坩埚(也称石英坩埚)中,然后加热熔融形成硅熔液,在硅熔液 中浸入籽晶后向上旋转提拉,硅在籽晶与熔溶液的界面处凝固结晶,形成单晶硅锭。 单晶硅生长过程中,最难控制的是晶体的径向均匀性和轴向均匀性。晶体的径向 均匀性是由于单晶硅的凝固生长属于放热反应,而固体的导热远远低于液体的导热,因此 结晶界面处形成一个中心热量高于四周的环境。因此,形成一个向...
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