技术编号：10514003
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 提高包括场效应晶体管(FET)的集成电路器件的集成密度(包括通过减小场效应 晶体管(FET)的栅极长度)可W危害该器件的某些性能特性，特别是在水平(平面)金属氧化 物半导体FET(MOSFET)的情况下。为了克服运些限制，正在发展具有Ξ维沟道的器件诸如罐 阳T(FinFET)。然而，Fin阳T的按比例缩小造成自身的挑战。例如，FinFET的源极和漏极区与 连接到所述源极和漏极区的导电接触插塞之间的接触电阻可W随着FinFET的特征的尺寸 被减小而增大。在...
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