技术编号：10490768
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 预期包括诸如GaN层的氮化物半导体层的场效应晶体管广泛用作电力控制元件， 因为它们具有高耐受电压W及低电阻率。要求运些电力控制元件是常关型元件。但是，难W 将包括氮化物半导体层的场效应晶体管制成常关型晶体管。 国际公布WO 03/071607中公开了一种晶体管，其使用在界面处、即在AlGaN层和 GaN层之间的异质结处积累的二维电子气作为载流子。运种晶体管被构造为在晶体管的栅 电极下方不存在异质结，W防止在栅电极下方产生二维电子气。国际公布WO 03/0...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。