技术编号：10471875
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。制备半导体功率器件的传统方法，仍然面临在高纵横比以及沟槽间微小间距的沟槽中，制备电接触的技术局限。这种技术局限经常成为阻碍进一步减小电子器件尺寸和维度的瓶颈。基于这些原因，目前已采用多种技术，以试图克服这些局限。采用光刻工艺的传统技术，用于限定打开接触沟槽的图案。通常来说，利用掩膜，选择性地曝光光致抗蚀剂层，沉积光致抗蚀剂层并形成图案，以限定打开接触沟槽的位置。然而，由于难以准确对齐，这些工艺往往受到限制。另外，光刻曝光的焦点深度以及分辨率还会引起需要制造...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。