用于在触摸应用中以抗高噪声性计算坐标的方法和装置的制造方法_4

文档序号:9916525阅读:来源:国知局
在一个实施例中,指示BR算法将被用于所有位置计算的标 志被存储在处理逻辑中。在另一实施例中,指示BR算法将被用于某些位置计算的标志被存 储在处理逻辑中。在一个实施例中,处理逻辑确定启用BR算法的标志是否被启用。
[0062]在一个实施例中,在块420中确定BR算法被启用之后,处理逻辑移动至块430并确 定触摸是否包括紧密接近的两个或多个触摸。如果处理逻辑确定触摸包括紧密接近的两个 或多个触摸,则处理逻辑移动至块431。在块431中,处理逻辑可选择用于3 X 3矩阵的BR算法 (BRl)以计算位置坐标,例如X和Y坐标。如果处理逻辑确定触摸不包括紧密接近的两个或多 个触摸,则处理逻辑移动至块432。在块432中,处理逻辑可选择用于5 X 5矩阵的BR算法 (BR2)以计算位置坐标,例如X和Y坐标。在另一实施例中,处理逻辑可选择用于较大矩阵的 BR算法,例如7 X 7或9X9矩阵。应注意的是选择在其上将执行BR位置计算的较小晶胞矩阵 提供了用以检测紧密接近的多个触摸的更细分辨率。
[0063]在一个实施例中,返回图4的块420,如果BR标志未被启用,则处理逻辑移动至块 440。在块440中,处理逻辑确定触摸是否包括紧密接近的两个或多个触摸。如果触摸包括紧 密接近的两个或多个触摸,则处理逻辑移动至块441。在块441中,处理逻辑可从多个位置计 算算法中选择另一位置计算算法。由于BR标志未被启用,所以可不选择BR算法。处理逻辑可 选择用于3X3矩阵的质心算法以计算位置坐标,例如X和Y坐标。应注意的是选择在其上将 执行位置计算算法的较小晶胞矩阵提供了用以检测紧密接近的多个触摸的更细分辨率。 [0064]返回块420,如果处理逻辑确定触摸不包括紧密接近的两个或多个触摸,则处理逻 辑移动至块442。在一个实施例中,在块442中,处理逻辑选择用于5X5矩阵的质心算法以计 算位置坐标,例如X和Y坐标。在另一实施例中,处理逻辑可选择用于较大矩阵的质心算法, 例如7X7、9X9或更大矩阵。
[0065]在传感阵列上检测到两个触摸的情形中讨论了上述实施例,然而,还可在存在一 个触摸以及三个或多个触摸的情形中使用实施例。并且,当两个或多个触摸接近在一起时, 诸如当至少两个触摸重叠在至少一个传感元件上时,以及当两个或多个触摸相隔更远时, 可使用位置计算技术。并且,当一个或多个触摸在传感器阵列的边缘处时能够使用本文所 述的实施例。例如,可在传感阵列的边缘处检测到部分触摸,并且能够使用本文所述的位置 计算技术来确定包括部分触摸的触摸尺寸位置的触摸的几何形状。
[0066]图5是根据一个实施例的检测位置的方法的流程图。方法500可由可包括硬件(电 路、专用逻辑等)、软件(诸如在通用计算系统或专用机器上运行的软件)、固件(嵌入式软 件)或其任何组合的处理逻辑执行。在一个实施例中,处理设备110执行方法500的操作的某 些或全部。在另一实施例中,位置计算工具120执行方法500的操作的某些或全部。替换地, 电子系统100的其它部件执行方法500的操作的某些或全部。
[0067]在图5中,方法500在块505处开始,其中,处理逻辑获得例如电容传感阵列125的传 感阵列的触摸数据,触摸数据被表示为多个晶胞。在块510中,处理逻辑可基于触摸数据检 测到电容传感阵列125上的噪声。噪声可由充电器、在设备内部的源或其它外部源产生。在 另一实施例中,噪声被注入到电容传感阵列125上并作为触摸数据中的电信号被捕捉。包括 噪声的触摸数据可被发送到处理逻辑并被测量。在一个实施例中,噪声可通常地由处理逻 辑或具体地由处理设备110检测到。在一个实施例中,如果满足或超过噪声阈值,则处理逻 辑响应于噪声确定适当的位置计算算法。在一个实施例中,可将噪声阈值设置为小于五的 信噪比。在一个实施例中,可预定噪声阈值并将其存储在RAM 105中、使用处理逻辑周期性 地更新或动态地更新噪声阈值。在方法500的块515中,处理逻辑基于检测到的噪声从多个 不同位置计算算法中选择位置计算算法。多个不同位置计算算法包括但不限于梯度、Blais Rioux(BR)、质量中心(CoM)(也称为质心)、线性内插、高斯近似以及抛物线估计器。
[0068]图6图示出根据一个实施例的计算BR权值的方法。方法600可由可包括硬件(电路、 专用逻辑等)、软件(诸如在通用计算系统或专用机器上运行的软件)、固件(嵌入式软件)或 其任何组合的处理逻辑执行。在一个实施例中,处理设备110执行方法600的操作的某些或 全部。在另一实施例中,位置计算工具120执行方法600的操作的某些或全部。替换地,电子 系统100的其它部件执行方法600的操作的某些或全部。
[0069]在图6中,在一个实施例中,处理逻辑选择用于位置计算的BR算法并执行BR权值的 计算。计算BR权值以便使用BR算法来执行位置计算。在一个实施例中,BR权值基于检测到的 接近于传感阵列的触摸的触摸数据。可使用BR权值作为位置计算等式中的变量以便以更高 的精确度确定触摸的位置。例如,可使用BR权值(Xo)作为以下等式中的变量来计算位置X。。
[0070] Xc = PitchX · (i+0.5+xo) Eq. I
[0071] 在等式1中,"i"是局部最大值的晶胞位置,以及"Pitchx"是从一个晶胞的中心到 另一相邻晶胞的中心的距离(通常以毫米(mm)为单位测量)。在另一实施例中,从用户的角 度出发,可以以LCD分辨率(点)来计算坐标。如此,PitchX可以是与一个晶胞有关的点的数 目。例如,如果分辨率是X = 3700电且存在Nx = 37个电极,则PitchX =分辨率X/Nx=100个点。 "Γ是局部最大值的晶胞的索引。X。可表示触摸的X坐标。可以类似方式计算Y坐标。可为多 个轴,例如X轴和Y轴,计算BR权值,以便计算触摸的位置。
[0072]可使用图7A、7B和7C来帮助举例说明在图6中提出的方法600中的某些概念。图7A 图示出根据一个实施例的一维传感阵列的晶胞。图7B图示出根据一个实施例的二维传感阵 列的晶胞。图7C图示出根据另一实施例的二维传感阵列的晶胞。
[0073]在图7A中,在一个实施例中,晶胞700表示电容传感阵列125的传感元件(例如,电 极)的交叉点。在一个实施例中,处理逻辑被配置成检测电容传感阵列125上的一个或多个 触摸。一个或多个触摸产生电容传感阵列125上的触摸数据,并且处理逻辑测量触摸数据。 可将触摸数据表示为多个晶胞(例如,晶胞700),每个晶胞(例如,Sox-S 4x)表示电容传感阵 列125的传感元件的交叉点。在图7A中,标记为Sox-S4X的晶胞表示识别晶胞的名称。在一个 实施例中,名称Sox-S4X表示对应于电容传感阵列125的晶胞的位置。例如,晶胞700可表示Y 方向上的一行晶胞。在另一位置上,电容传感阵列125上的一个或多个触摸产生晶胞700上 的触摸数据,并且能够将触摸数据表示为计数(未示出)。最接近于触摸的晶胞可产生最高 计数。在另一实施例中,多个晶胞可具有高计数。在图7A中,晶胞S 2x具有晶胞Sox-S4X中的最 高计数,并因此被表示为局部最大值701。换言之,局部最大值701对电容传感阵列125的所 有晶胞700具有最高计数。例如,作为触摸的结果,S 2x可具有300的计数,而Sox、S1X、S3x以及 S4x具有150的计数。继续本示例,因为其具有电容传感阵列125中的所有晶胞700的最高计 数,S 2x被视为局部最大值701。
[0074]返回方法600,在块605中,处理逻辑从触摸数据中识别局部最大值,该局部最大值 对应于多个晶胞中的具有最大计数的晶胞。局部最大值在图7A中被示为局部最大值701,在 图7B中被示为局部最大值711,并且在图7C中被示为局部最大值721。
[0075]在方法600的块610中,处理逻辑识别在第一方向上相邻于局部最大值的第一组相 邻晶胞以及在第二方向上相邻于局部最大值的第二组相邻晶胞。返回图7A和7B以便举例说 明。在图7A中,晶胞Sox和S lx在第一方向上相邻于局部最大值701,并且晶胞S3x和S4X在第二方 向上相邻于局部最大值701。图7B示出了BRl (3 X 3矩阵)被应用于其上的晶胞的示例。在图 7B中,晶胞Sn、S12和S13在第一方向上相邻于局部最大值711以及晶胞S 31、S32和S33在第二方 向上相邻于局部最大值711。
[0076]在方法600的块615中,处理逻辑计算第一总和,该第一总和包括第一组相邻晶胞 的触摸数据的总和。返回图7A、7B、7C以便举例说明。在图7a中,第一组相邻晶胞的总和是Sox +S1X。在图7B中,第一组相邻晶胞的总和是整列的总和,例如S lx = Sn+S12+S13。图7C示出了用 于5X5矩阵的BR算法(BR2)被应用于其上的晶胞的示例。在图7C中,在以下等式中示出了到 局部最大值721的第一组相邻晶胞的总和:
[0077]
[0078] 在方法600的块620中,处理逻辑计算第二总和,该第第二总和包括第二组相邻晶 胞的触摸数据的总和。返回图7A、7B、7C以便举例说明。在图7A中,第二组相邻晶胞的总和是 S 3x+S4x。在图7B中,第一组相邻晶胞的总和是整列的总和,例如S3x = S3i+S32+S33。图7C示出了 用于5X5矩阵的BR算法(BR2)被应用于其上的晶胞的示例。在图7C中,在以下等式中示出了 到局部最大值721的第一组相邻晶胞的总和:
[0079]
[0080]在方法600的块625中,处理逻辑计算局部最大值总和。返回图7A、7B、7C以便举例 说明。在图7A中,局部最大值总和是S2x的计数。在图7B中,局部最大值总和是整列的总和,例 如S 2x = S21+S22+S23。图7C示出了用于5父5矩阵的81?算法(81?2)被应用于其上的晶胞的示例。 在图7C中,在以下等式中示出了到局部最大值721的第一组相邻晶胞的总和:
[0081]
[0082] 在方法600的块630中,处理逻辑计算分子,该分子包括第二总和减去第一总和。返 回图7A、7B、7C以便举例说明。在图7A中,在以下等式中表示分子:
[0083] numerator = (S3x+S4x)-(S〇x+Six) Eq · 7
[0084] 在图7B中,在以下等式中表示分子:
[0085] numerator = (S3X-Six) Eq · 8
[0086] 在图7C
当前第4页1 2 3 4 5 6 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1