一种超极结mos应用的保护电路的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明属于LED电源技术领域，尤其设及一种超极结M0S应用的保护电路，具体应 用到可W用到超极结M0S的电路里，保护超极结M0S。
【背景技术】
[0002] 随着技术的进步，现在的CoolMOS的发展朝着Rds (ON)小，电流大，忍片小，生产工 艺更成熟，成本更低的方向发展，但因为忍片面积小，其耐冲击电流的能力，抗雪崩的能力 也会随着下降。高溫下的电流冲击及生产中的打火电流冲击等等会产生不良，在实际应用 过程中，会因此而受到限制，更严重时产生相当严重的客户投诉或赔款，在此情况下，现已 发明一种CoolM0S(超极结M0S)的保护电路，可W有效的保护到CoolMOS.有效的解决此问 题。
【发明内容】
[0003] 本发明是提供一种超极结M0S应用的保护电路，特别是应用在单级PFC L抓电源里 的CoolM0S(超极结M0S)提供保护电路，防止M0S在生产及测试及客户端因各种较恶劣的应 用情况下对M0S提供保护，防止CoolMOS因此情况下的崩溃，而产生不良，充分用到CoolMOS 优式，使产品竞争能力强。
[0004] 为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案： 一种超极结M0S应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，所述电阻R1分别与高压电HV 和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二极管Z1分别与 电阻R10和NPN型Ξ极管串联，所述电阻R10和NPN型Ξ极管Q2并联，所述电阻R10与电阻R16 串联，所述电阻R16与NPN型Ξ极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型Ξ极管Q3,所述电阻R16 连接于地线，所述NPN型Ξ极管Q3的两个引脚与NPN型Ξ极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN 型Ξ极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和 电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4,所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWM 1C (SD6**)的公共端电性连接，所述PWM IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连接，IC1 Comp 1脚引脚分别与NPN型Ξ极管Q2和NPN型Ξ极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1 脚引脚。
[0005] 优选的，所述电阻R3与电容C12并联，所述电容C12连接于地线和PWM IC1的公共 玉山 乂而。
[0006] 本发明还提供了一种超极结M0S应用的保护方法，该方法是把在异常交流输入时， 通过检测输入时的电压，过压时关断1C的Ton时间，进而把CoolMOS的Id降低，起到防止变 压器饱和，保护CoolMOS的功能，具体工作过程如下： 51、 当交流有较高的输入电压进来时，经电阻R1和R2检测分压加到Z1当输入电压足够 高，把Z1击穿则该电压直接加到Q2、Q3和Vbe两极； 52、 当Q2、Q3和Vbe电压逐渐升高到Ξ极管的导通电压时，贝化2和Q3导通，则把IC1 Comp 1脚引脚拉低； S3、当IC1 Compl脚引脚低时，则把1C的Ton时间拉短，控制了MOS Id，让MOS提前关断， W免进入饱和状态，进而保护CoolMOS避免进入雪崩至热崩溃而损坏。
[0007] 本发明提供的一种超极结M0S应用的保护电路，与L抓电路相比，本发明通过增加 的电路较好的保护CoolMOS在异常情况下对M0S的电压电流冲击，防止变压器饱和，减小 CoolMOS的雪崩机会，有效的保护CoolMOS不至于损坏;本发明电路应用在单级PFC电路里， 或是通用的适配器里都可W，可W解决CoolMOS同类问题，相对于同规格的M0S，CoolMOS RDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可W降低产品的成本，做到更高的功率密度，实 现产品的优式。
【附图说明】
[0008] 图1为本发明的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0010] 请参照图1，本发明采用了如下技术方案： 一种超极结M0S应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，所述电阻R1分别与高压电HV 和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二极管Z1分别与 电阻R10和NPN型Ξ极管串联，所述电阻R10和NPN型Ξ极管Q2并联，所述电阻R10与电阻R16 串联，所述电阻R16与NPN型Ξ极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型Ξ极管Q3,所述电阻R16 连接于地线，所述NPN型Ξ极管Q3的两个引脚与NPN型Ξ极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN 型Ξ极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和 电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4,所述电阻R4与电阻R3并联，所述电阻R3与电容C12 并联，所述电容C12连接于地线和PWM IC1的公共端，所述电容C3与PWM IC1的公共端电性连 接，所述P歷IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连接，IC1 Comp 1脚引脚分别与 NPN型Ξ极管Q2和NPN型Ξ极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1脚引脚。
[0011] 本发明还提供了一种超极结M0S应用的保护方法，该方法是把在异常交流输入时， 通过检测输入时的电压，过压时关断1C的Ton时间，进而把CoolMOS的Id降低，起到防止变 压器饱和，保护CoolMOS的功能，具体工作过程如下： 51、 当交流有较高的输入电压进来时，经电阻R1和R2检测分压加到Z1当输入电压足够 高，把Z1击穿则该电压直接加到Q2、Q3和Vbe两极； 52、 当Q2、Q3和Vbe电压逐渐升高到Ξ极管的导通电压时，贝化2和Q3导通，则把IC1 Comp 1脚引脚拉低； 53、 当IC1 Compl脚引脚低时，则把1C的Ton时间拉短，控制了M0S Id，让M0S提前关断， W免进入饱和状态，进而保护CoolMOS避免进入雪崩至热崩溃而损坏。
[001^ 从附表可从看出，增加了防雷电路能有效保护MOS，w免MOS在电压应力电流应力 超柄，而损坏。700V CoolMOS应用了防雷击电路后，由超过电压应力785V降到574V，完全可 W满足设计余量的10%电压应力要求。
[OOU]综上所述:本发明通过增加的电路较好的保护CoolMOS在异常情况下对M0S的电压 电流冲击，防止变压器饱和，减小CoolMOS的雪崩机会，有效的保护CoolMOS不至于损坏;本 发明电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可W，可W解决CoolMOS同类问 题，相对于同规格的MOS，C〇〇1MOS RDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可W降低产品 的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。
[0014] W上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明掲露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其 发明构思加 W等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，其特征在于:所述电阻R1分 另IJ与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二 极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联，所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联，所述电阻 R10与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3， 所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连 接，且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联， 所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4,所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容 C3与P丽IC1的公共端电性连接，所述P丽IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连 接，IC1 Comp 1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1脚引脚。2. 根据权利要求1所述的一种超极结M0S应用的保护电路，其特征在于:所述电阻R3与 电容C12并联，所述电容C12连接于地线和PWM IC1的公共端。3. -种权利要求1所述的超极结M0S应用的保护方法，其特征在于:该方法是把在异常 交流输入时，通过检测输入时的电压，过压时关断1C的Ton时间，进而把CoolMOS的Id降低， 起到防止变压器饱和，保护CoolMOS的功能，具体工作过程如下： 51、 当交流有较高的输入电压进来时，经电阻R1和R2检测分压加到Z1当输入电压足够 高，把Z1击穿则该电压直接加到Q2、Q3和Vbe两极； 52、 当Q2、Q3和Vbe电压逐渐升高到三极管的导通电压时，则Q2和Q3导通，则把IC1 Comp 1脚引脚拉低； 53、 当IC1 Compl脚引脚低时，则把1C的Ton时间拉短，控制了MOS Id，让M0S提前关断， 以免进入饱和状态，进而保护CoolMOS避免进入雪崩至热崩溃而损坏。
【专利摘要】本发明公开了一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM？IC1？，所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWM？IC1的公共端电性连接，所述PWM？IC1的另一个引脚与IC1？Comp？1脚引脚电性连接，IC1？Comp？1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1？Comp？1脚引脚。本发明电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS？同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOS？RDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。
【IPC分类】H03K17/081
【公开号】CN105656463
【申请号】
【发明人】朱俊高, 王斌, 黄斌
【申请人】深圳市莱福德光电有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年4月5日