，在基体307上制作输入电极308和输出电极309，输入电极308与发射叉指型电极302连接，输出电极309与接收叉指型电极303连接。
[0056]需要说明的是，通孔306的形状及大小是根据预先定义得到的，散射体307与通孔306向匹配，散射体307的大小及形状，不做具体限定。
[0057]需要说明的是，在得到声表面波滤波器之前，进行滤波器的封装，具体的外部封装形状不做限定。
[0058]本发明实施例中，基体305处于基片301表面和发射叉指型电极302及接收叉指型电极303之间，散射体307处于基体305的通孔306之内，基体305的声阻抗大于散射体307的声阻抗，根据实际应用得到，基体305和散射体307的结构特性，可以阻止特定频率的表面波到达接收叉指型电极303，从而使得接收叉指型电极303还原的信号中，特定频率的表面波对应的频率段被滤除，实现多频段的带通滤波功能，与现有技术中利用多个声表面波滤波器组合实现多频段的带通滤波功能相比，减小了体积，有利于器件的小型化和集成化。
[0059]请参阅图3g，本发明实施例提供一种声表面波滤波器，包括:
[0060]基片301、发射叉指型电极302、接收叉指型电极303、基体305及散射体307，基体305的声阻抗大于散射体307的声阻抗；
[0061]发射叉指型电极302和接收叉指型电极303处于基片301上；
[0062]基体305处于基片301表面，且处于发射叉指型电极302和接收叉指型电极303之间；
[0063]散射体307具有通孔3，散射体307处于通孔中。
[0064]可选的，基片301为具有压电效应的材料。
[0065]可选的，声表面波滤波器还包括:
[0066]输入电极308和输出电极309;
[0067]输入电极308与发射叉指型电极302连接，输出电极309与接收叉指型电极303连接。
[0068]可选的，声表面波滤波器还包括:
[0069]吸收层304，吸收层304处于基片301的边界表面上。
[0070]本发明实施例中，基体305处于基片301表面和发射叉指型电极302及接收叉指型电极303之间，散射体307处于基体305的通孔306之内，基体305的声阻抗大于散射体307的声阻抗，根据实际应用得到，基体305和散射体307的结构特性，可以阻止特定频率的表面波到达接收叉指型电极303，从而使得接收叉指型电极303还原的信号中，特定频率的表面波对应的频率段被滤除，实现多频段的带通滤波功能，与现有技术中利用多个声表面波滤波器组合实现多频段的带通滤波功能相比，减小了体积，有利于器件的小型化和集成化。
[0071]为便于理解，下面以一个具体应用场景对本发明实施例中的声表面波滤波器进行详细描述:
[0072]本实施例中，声表面波滤波器应用于手机等通信终端中，用于对射频信号进行带通滤波，结构如图3g所示，其中散射体307的排列可以是周期性的，也可以是无序排列，本实施例中散射体307以矩阵方式排列。
[0073]当射频信号产生时，射频信号通过输入端308将交流电压施加于发射叉指型电极302，发射叉指型电极302在电极之间形成电场，使基片301的压电材料发生机械振动，形成表面波，表面波的频率与射频信号的频率相同，表面波向左传播被吸收层304的吸收声波特性的材料吸收，表面波向右传播，遇到声阻抗较大的基体305，基体305上有声阻抗较小的散射体307，基体305阻止表面波的传输，而散射体307的声阻抗较小，可以允许表面波通过，并且与表面波产生共振，根据此理论，可以通过调节散射体的尺寸、形状及材料等特性，来使得特定频率的表面波不能通过，接收叉指型电极303获得表面波之后，将其转化为射频信号，如图4所示，得到的射频信号中叉指型电极能够响应的频率区域为fl，阻带为f2和f3，这两条阻带分别是由散射体的零级共振与一级共振产生。图5为现有技术的衰减图。
[0074]由此可见，与现有技术相比，本实施例中的声表面波滤波器是具有多频率的带通滤波特性的，而现有技术则需要使用多个声表面波滤波器进行组合才能实现多频率的带通滤波功能，因此本发明实施例可以减小器件的体积，有利于器件的小型化和集成化。
[0075]另外，如图6所示，改变散射体的几何参数后，可以使得禁带的频率区域f2和f3变得更宽，说明调节散射体的尺寸和形状即可以改变声表面波滤波器的衰减特性;如果希望在fl中产生更多的禁带的频率区域，则可以通过改变散射体的设计，使散射体具有二级共振频率，也可同时设计多种散射体，利用多种散射体的共振特性产生多条阻带，因此可实现多种类型的订制化的声表面波滤波器。
[0076]以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
【主权项】
1.一种声表面波滤波器的加工方法，其特征在于，包括: 提供基片，所述基片为具有压电效应的材料； 在所述基片上加工形成发射叉指型电极及接收叉指型电极； 在所述基片的表面加工形成基体，所述基体处于所述发射叉指型电极及所述接收叉指型电极之间； 对所述基体进行预定义加工，形成通孔； 在所述通孔中形成散射体，得到声表面波滤波器，所述基体的声阻抗大于所述散射体的声阻抗。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在所述基片上加工形成发射叉指型电极及接收叉指型电极包括: 在所述基片表面形成金属薄层； 通过光蚀刻工艺对所述金属薄层进行加工，形成发射叉指型电极及接收叉指型电极。3.根据权要求2所述的加工方法，其特征在于，所述通过光蚀刻工艺对所述金属薄层进行加工，形成发射叉指型电极及接收叉指型电极之后，还包括: 在所述基片的边界表面加工形成吸收层。4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在所述基片的表面加工形成基体包括: 通过电镀工艺在所述基片表面形成基体。5.根据权利要求1至4中任一项所述的加工方法，其特征在于，所述加工方法还包括: 在所述基体上制作输入电极和输出电极，所述输入电极与所述发射叉指型电极连接，所述输出电极与所述接收叉指型电极连接。6.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括: 基片、发射叉指型电极、接收叉指型电极、基体及散射体，所述基体的声阻抗大于所述散射体的声阻抗； 所述发射叉指型电极和所述接收叉指型电极处于所述基片上； 所述基体处于所述基片表面，且处于所述发射叉指型电极和所述接收叉指型电极之间； 所述散射体具有通孔，所述散射体处于所述通孔中。7.根据权利要求6所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述基片为具有压电效应的材料。8.根据权利要求6或7所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器还包括: 输入电极和输出电极； 所述输入电极与所述发射叉指型电极连接，所述输出电极与所述接收叉指型电极连接。9.根据权利要求6或7所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器还包括: 吸收层，所述吸收层处于所述基片的边界表面上。
【专利摘要】本发明实施例公开了一种声表面波滤波器及其加工方法，用于利用单个声表面波滤波器滤波器实现多频段的带通滤波功能，有利于器件的小型化和集成化。本发明实施例方法包括：提供基片，基片为具有压电效应的材料；在基片上加工形成发射叉指型电极及接收叉指型电极；在基片的表面加工形成基体，基体处于发射叉指型电极及接收叉指型电极之间；对基体进行预定义加工，形成通孔；在通孔中形成散射体，得到声表面波滤波器，基体的声阻抗大于散射体的声阻抗。
【IPC分类】H03H9/64, H03H3/02
【公开号】CN105656446
【申请号】
【发明人】叶扬韬
【申请人】东莞酷派软件技术有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月17日