一种mocvd反应腔室的清理装置及清理方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体制造技术领域，尤其是涉及一种M0CVD反应腔室的清理装置及 清理方法。
【背景技术】
[0002] M0CVD(英文全称:Metal Organic Chemical Vapour deposition，中文全称：金属 有机化学气相沉积)是一种用于金属有机化学气相沉积过程的设备，被广泛用于LED的外延 生长，其主要构成部分反应腔室在经过一定的气相沉积反应后会产生较多副产物，当副产 物积累到一定厚度或者量时会严重影响LED外延片的光电性能，必须定期进行清理。
[0003] 目前清理副产物的方法是将反应腔室拆开，并利用吸尘器将副产物抽取干净。但 因反应腔室被打开而暴露在大气中，大量的水汽、氧气等吸附在腔室内壁，在维护过后很难 将这些吸附的水氧去除。反应腔室内壁吸附的水、氧等如果不能有效去除，在生长过程中 水、氧分子就会慢慢的释放，反应腔室内部环境的恢复会持续很长的时间，同时会造成外外 延片电压高、亮度低等一系列问题。
【发明内容】
[0004] 针对现有清理过程中的问题，本发明提供一种M0CVD反应腔室的清理装置及清理 方法，旨在不打开反应腔室的情况下，对反应腔室内壁的副产物进行自动清理。
[0005] 本发明提供一种M0CVD反应腔室的清理装置，至少包括:一承载盘、复数个均匀分 布并铰接于承载盘上部边缘的清理手臂，所述清理手臂处于静止状态时均向所述承载盘中 心方向倾斜，且清理手臂与水平面的夹角为α，0°<α<90°; 优选的，所述清理装置通过旋转方式清理M0CVD反应腔室，其旋转速度η、承载盘的直径 D以及清理手臂长度L之间的关系符合:η:
[0006] 优选的，所述清理手臂包括支撑机构及安装于支撑机构表面的擦拭机构，所述擦 拭机构用于清扫反应腔室内壁。
[0007] 优选的，所述支撑机构与所述擦拭机构的总厚度Η大于等于所述承载盘边缘至反 应腔室内壁的距离Η'。
[0008] 优选的，所述清理手臂的长度小于等于所述M0CVD反应腔室的垂直高度。
[0009] 优选的，所述承载盘下表面中心处有一凹槽。
[0010] 优选的，所述承载盘的直径小于所述M0CVD反应腔室的内径。
[0011] 优选的，所述擦拭机构为无纺布、海绵、毛刷中的一种或者任意两者的组合。
[0012] 优选的，所述清理手臂的个数大于等于2。
[0013] 本发明还提供一种M0CVD反应腔室的清理方法，至少包括以下步骤： S1、提供一清理装置，所述清理装置至少包括一承载盘、复数个均匀分布并并铰接于承 载盘上部边缘的清理手臂，所述清理手臂处于静止状态时均向所述承载盘中心方向倾斜且 两者之间的夹角为α，0° <α<90° ; 52、 将步骤SI)的清理装置转移至MOCVD反应腔室中的承载盘旋转机构上； 53、 启动旋转机构，驱动所述承载盘进行旋转，所述清理手臂在离心力的作用下张开， 贴紧所述反应腔室的内壁，对M0CVD反应腔室侧壁进行清扫； 优选的，所述承载盘的转速η满足如下公式:η
D为承载盘的直径;L为清理手臂的长度;η为承载盘的转速;α为清理手臂与水平面的夹角。 [0014]优选的，所述步骤S2)还包括向M0CVD反应腔室通入氮气的过程。
[0015] 优选的，所述步骤S3)还包括开启M0CVD设备的尾气处理装置的步骤。
[0016] 本发明至少具有以下有益效果：1)根据清理手臂与水平面的夹角设定最小转速， 节约能耗;2)实现了在不拆开反应腔室的基础上就可以将堆积于腔室内的沉积物清除干 净，避免了反应腔室内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质;3)保持了反应腔室内部的洁净 度，提高了在腔室维护过后机器性能的稳定性。
【附图说明】
[0017] 附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实 施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按 比例绘制。
[0018] 图1本发明实施例一之M0CVD反应腔室和清理装置的剖视图； 图2本发明实施例一之合页俯视图； 图3本发明实施例一之采用石墨盘制作的清理装置示意图； 图4本发明实施例一之采用石墨盘制作的清理装置在M0CVD中工作状态剖视图； 图5本发明实施例二之清理装置在M0CVD中工作状态剖视图； 附图标注：1:反应腔室；11:旋转机构；12顶盖;2:承载盘;2 ' ：石墨盘;21:塾块;22:凹 槽;23:合页；231:叶面;232:通孔;24:凹槽;241:凹槽表面;3:清理手臂；31:擦拭机构；32: 支撑机构;321:叶面;4:尾气处理装置。
【具体实施方式】
[0019] 实施例1 参看附图1，本实施例提供一种M0CVD反应腔室1的清理装置，其至少包括一承载盘2以 及复数个均匀分布并铰接于承载盘2上部边缘的清理手臂3。
[0020] 其中，承载盘2为金属盘、陶瓷盘或石墨盘，形状为圆形或正多边形，为使承载盘2 自由进出反应腔室1，承载盘2的直径D设置为小于M0CVD反应腔室1的内径，承载盘2下表面 中心处置还设置一凹槽22，清理装置通过凹槽22安装于反应腔室1内的旋转机构11上。进一 步地，清理手臂3包括支撑机构32及安装于支撑机构32表面的擦拭机构31，所述擦拭机构31 用于清扫反应腔室1，且擦拭机构31与支撑机构32的总的厚度Η大于等于承载盘2边缘至反 应腔室1侧壁的距离Η'；为能充分的清扫反应腔室1内壁，擦拭机构31为无纺布、海绵、毛刷 中的一种或者任意两者的组合。
[0021] 继续参看附图1，当清理装置处于静止状态时，清理手臂3向承载盘2中心方向倾 斜，并且为便于清理装置旋转时，清理手臂3可在最小转速下于竖直方向张开，清理手臂3通 过铰链连接于承载盘2上，并与水平面呈一夹角α，α满足0°<α<90°。优选普通合页23(如附 图2)连接清理手臂3与承载盘2,其无弹簧铰链功能，可在最小力的作用下打开，而当两扇叶 面231的夹角小于90角时，其在自身重量的作用下则会闭合，实现清理装置在最小转速下清 理MOCVD反应腔室1，节省能耗，叶面上231表面设有若干个通孔232，螺栓通过通孔232分别 将两扇叶面231连接于承载盘2上部及支撑机构32伤。本发明提供的一种清理装置，其启动 旋转速度η、承载盘2直径D以及清理手臂3长度L之间的关系符合:η
:，且 即清理装置的最小启动速度>
，最小转速η通过清理 手臂3自身重力与其垂直方向的分力等于离心力与清理手臂3垂直方向的分力相等得出，离 心力垂直于清理手臂3方向上的分力与清理手