专利名称：高频能量供给装置和高频无电极放电灯器件的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及高频能量供给装置和高频无电极放电灯器件。
高频无电极放电灯较之有电极的电弧放电灯的优点在于，容易把电磁能量耦合到充填物，可从用于放电发射的充填物中除去汞，且由于没有电极损耗而可期望得到较高的发光效率。由于在放电空间中没有电极，所以不会因电极的蒸发而引起灯泡内壁变黑。这大大延长了灯的寿命。由于这些特点，近几年，一直在积极地研究作为新一代高亮度放电灯的高频无电极放电灯。
在普通的放电灯器件中，由于可通过把光源尺寸缩小到接近于点光源来实现理想的发光强度分布设计，所以强烈要求缩小作为光源的等离子电弧的尺寸。例如，在考虑应用于标准液晶视频投影机时，为了增加光发射利用率的光学设计，所需的等离子电弧的尺寸为大约3mm或更小。另一方面，在无电极放电灯中，由灯泡的内径来确定等离子电弧的尺寸。然而，由于使用谐振器的常规高频无电极放电灯器件的尺寸缩小受到波长的限制，所以这些常规器件不适合需要高亮度点光源的应用领域。因此，近几年，已开发了可提供集中在比谐振器所提供的空间更小的空间内的高频谐振电磁场。
从
图10，以下将根据10-189270号日本未审查公开专利中所揭示的“高频能量供给装置和高频无电极放电灯器件”来描述已有技术。
10-189270号日本未审查公开专利中所揭示的高频能量供给装置包括具有从环形导电材料产生的电磁感应功能部分和由空隙构成的电容功能部分的多个侧(side)谐振器，且具有以环绕排列的多个侧谐振器构成的所述侧谐振器组中心处的高频谐振电磁场来提供放电所需的高频能量的结构从而所述电容功能部分向内。因此，本发明的一个目的是提供一种可提供集中在比谐振器所提供的空间更小的空间内的高频谐振电磁场的高频能量供给装置和一种可使用这种高频能量供给装置的高频无电极放电灯器件。
作为侧谐振器组的一个例子，图10示出8叶片型谐振器102，它包括从一种导电材料制成的圆柱体104向中心伸出的相同导电材料制成的八个片状的叶片105。两个相邻叶片105和圆柱体104的内壁表面以及由它们所产生的空间起到电磁感应功能部分的作用，相邻叶片的两个伸出部分和它们之间的空隙起到电容功能部分的作用。无电极放电灯101位于8叶片型谐振器102的中心部分。由通过填隙或焊接而电气连接到一个叶片105的电场耦合型高频耦合装置103把高频振荡器装置所传播的高频能量耦合到8叶片型谐振器102。如此设计8叶片型谐振器102，从而在待耦合的高频能量的频率下谐振。这样，可由8叶片型谐振器102的中心部分处产生的高频谐振电场E把高频放电所需的能量供给无电极放电灯101。
尤其是，在侧谐振器的数目为N时，如果把高频的频率或侧谐振器的形状设计成以一个侧谐振器的相位与相邻侧谐振器的相位偏移2π/N的模式来驱动侧谐振器组，则伸出部分的电荷的极性与面对伸出部分的电荷的极性相反。把此电荷所产生的高频谐振电场E的定向为侧谐振器中心部分的径向，且该电场具有穿越无电极放电灯101的分布。在以2π/N模式来操作谐振器时，在无电极放电灯101所处的中心部分处获得最强的电场。
高频耦合装置还可以是图11所示的磁场耦合型。在图11中，环路天线113的末端部分电气耦合到8叶片型谐振器112的圆柱体部分。由来自环路天线113的振荡高频磁场在8叶片型谐振器112的中心部分处产生高频谐振电场E。由此高频谐振电场E把高频放电能量提供给无电极放电灯111。
通过8-291420号日本专利申请中所揭示的高频放电能量供给装置，即使通过2.45GHz的高频也可产生和保持10mm或更小的相对小的等离子电弧。
然而，利用以上结构，由于为获得最强的电场而在2π/N模式下进行操作时的电场方向是不变的，所以在等离子体因热对流而变位时此模式受到干扰，且放电等离子体常变得不稳定。此外，由于电场沿某一方向偏转，所以无电极放电灯对放电管壁的热负载使电场的方向发生偏转并增加。
本发明的高频能量供给装置包括一组侧谐振器，这些侧谐振器实际上以环状的形式电气连接并使用在中心部分中产生的高频谐振电磁场来提供高频能量；以及多个高频耦合装置，用于把从多个高频传播路径所传播的多个高频能量耦合到所述侧谐振器组；其中从所述多个高频耦合装置耦合到所述侧谐振器组的多个高频的相位和/或频率互不相同。
本发明的高频能量供给装置包括一组侧谐振器，这些侧谐振器实际上以环状的形式电气连接并使用在中心部分中产生的高频谐振电磁场来提供高频能量；高频谐振器装置；高频传播装置；高频分割装置，用于将由所述高频振荡器装置产生的并由所述高频传播装置传播的所述高频能量分割到多个传播路径；高频相移装置，用于把所述多个传播路径上的多个高频的相位偏移成不同的相位；以及多个高频耦合装置，用于把相位不同的所述多个高频能量耦合到所述侧谐振器组；其中，当所述高频耦合装置的数目为M时，由与所述侧谐振器组所形成的环中心相对的相邻的所述高频耦合装置所产生的较小的角为π/M；所述高频相移装置把相邻的所述高频耦合装置所耦合的高频能量的相位相互偏移π/M。
本发明的高频能量供给装置包括一组侧谐振器，这些侧谐振器实际上以环状的形式电气连接并使用在中心部分中产生的高频谐振电磁场来提供高频能量；高频谐振器装置；高频传播装置；高频分割装置，用于将由所述高频振荡器装置产生的并由所述高频传播装置传播的所述高频能量分割到多个传播路径；高频相移装置，用于把所述多个传播路径上的多个高频的相位偏移成不同的相位；以及多个高频耦合装置，用于把相位不同的所述多个高频能量耦合到所述侧谐振器组；其中，当所述高频耦合装置的数目为M时，M至少为3；由与所述侧谐振器组形成的环中心相对的相邻的所述高频耦合装置所产生的较小的角为2π/M；所述高频相移装置把相邻的所述高频耦合装置所耦合的高频能量的相位相互偏移2π/M。
本发明的高频能量供给装置包括一组侧谐振器，这些侧谐振器实际上以环状的形式电气连接并使用在中心部分中产生的高频谐振电磁场来提供高频能量；高频谐振器装置；高频传播装置；高频分割装置，用于将由所述高频振荡器装置产生的并由所述高频传播装置传播的所述高频能量分割到多个传播路径；高频相移装置，用于把所述多个传播路径上的多个高频的相位偏移成不同的相位；以及多个高频耦合装置，用于把相位不同的所述多个高频能量耦合到所述侧谐振器组；其中，所述多个高频振荡器装置的数目与所述多个高频传播装置以及所述多个高频耦合装置的数目相同；所述多个高频耦合装置连接到构成所述侧谐振器组的不同的侧谐振器；以及由所述多个高频振荡器装置所产生的高频的频率互不相同。
本发明的高频无电极放电灯器件包括依据本发明的高频能量供给装置以及无电极放电灯，其中所述无电极放电灯位于所述高频能量供给装置的环中心，由所述高频能量供给装置所提供的高频能量在所述无电极放电灯的放电管内部形成放电等离子体。
由以上结构，消除了电场向某一方向的偏转，从而产生和保持了稳定的放电等离子体以及无电极放电灯对放电管壁的热负载。
这里所使用的术语“高频”意味着频率在1MHz和100GHz之间范围内的电磁波。尤其是，当频率处于300MHz和30GHz之间的“微波”范围内时，可更好地实现本发明。
图1是示出依据本发明第一实施例的具有两个电场耦合型天线的8叶片型谐振器的图；图2是示出一高频无电极放电灯器件的示意图，该器件使用了依据本发明第一实施例的具有两个电场耦合型天线的8叶片型谐振器；图3是示出本发明第一实施例中电场随时间推移而变化的图；图4是示出依据本发明第一实施例的具有两个磁场耦合型天线的8叶片型谐振器的图；图5是示出一高频无电极放电灯器件的示意图，该器件使用了依据本发明第一实施例的具有三个电场耦合型天线的6叶片型谐振器；图6是示出依据本发明第二实施例的具有三个电场耦合型天线的6叶片型谐振器的图；图7是示出一高频无电极放电灯器件的示意图，该器件使用依据本发明第二实施例的具有三电场耦合型天线的6叶片型谐振器；图8是示出依据本发明第三实施例的使用两个高频电源的高频无电极放电灯器件的示意图；图9是示出本发明第三实施例中电场随时间推移的变化轨迹的图；图10是示出依据已有技术的具有电场耦合型天线的8叶片型谐振器的图；以及图11是示出依据已有技术的具有磁场耦合型天线的8叶片型谐振器的图。
(实施例1)以下将参考图1到图5来描述本发明的高频能量供给装置的第一实施例。
在图1所示的8叶片型谐振器12中，如此设计谐振器的频率和形状，从而高频谐振电场通过位于中心部分处的无电极放电灯11来获得强的电场。即，预先依据待耦合的高频能量的频率来设计频率，从而在由单个高频耦合装置把高频能量耦合到谐振器12时谐振器以一个侧谐振器的相位与相邻侧谐振器的相位偏移π/4(2π/8)的模式进行操作。两个电场耦合型天线13即高频耦合装置连到8叶片型谐振器12，从而与谐振器中心部分相对的角中较小的角为90°(π/2)。通过由第一电场耦合型天线13a所耦合的高频能量，在8叶片型谐振器12的中心部分沿图1的水平方向产生高频谐振电场Ex。同样，通过由第二电场耦合型天线13b所耦合的高频能量，在8叶片型谐振器12的中心部分沿图1的垂直方向产生高频谐振电场Ey。
接着，将参考图2来描述包括高频振荡器装置和高频分割以及相移装置的结构。通过由同轴线、波导以及类似元件构成的高频传播装置把来自高频电源的振荡高频能量传播到分割器或相移器。由所述分割器即高频分割装置把所传播的高频能量分割成两部分。此外，由相移器即高频相移装置来设定这两个分割而成的部分，从而位于耦合到8叶片型谐振器22的第一电场耦合型天线13a的接头23a处高频的相位与位于第二电场耦合型天线13b的接头23b处高频的相位相差90°(π/2)。
由公式1给出在此时以上的8叶片型谐振器中心部分中的电场。
这里ω表示输入高频的角频率，t表示时间，E0表示由每个高频耦合装置所耦合的谐振电场的最大值。公式1示出8叶片型谐振器中心部分的电场在输入高频的角频率ω下旋转。
在图3中示出在提供了图1和图2的无电极放电灯11和21的8叶片型谐振器12和22的中心部分处高频电场随时间推移的变化。
高频振荡器装置以2.45GHz的正弦波振荡，在左栏的上部示出被第一电场耦合天线13a耦合的沿x方向的高频谐振电场Ex随时间推移的变化，在左栏的下部示出被第二电场耦合天线13b耦合的沿y方向的高频谐振电场Ey随时间推移的变化。在沿x方向的高频谐振电场Ex的相位与沿y方向的高频谐振电场Ey的相位偏移90°时，在中心部分重叠的电场将同步于高频的频率而旋转如右栏所示。
高频耦合装置不限于图1所示的电场耦合型天线，也可使用图4磁场耦合型天线。在图4中，两个环路天线43a和43b的末端部分分别电气连接到8叶片型谐振器42的圆柱体的内壁。通过环路天线43的两个振荡相移高频磁场，在8叶片型谐振器42的中心部分处产生高频谐振旋转电场，把高频能量提供给无电极放电灯41。
提供以上效果的结构不限于8叶片型谐振器和两个高频耦合装置。例如，如图5所示，可使用6叶片型谐振器和三个高频耦合装置。
这里，把图5所示的6叶片型谐振器52设计成满足待耦合的高频能量的频率，从而在由单个高频耦合装置来耦合高频能量时，该谐振器以高频谐振电场横过位于中心部分的无电极放电灯51的2π/3模式进行操作。
高频耦合装置52的三个接头连到由六个叶片给出的6叶片型谐振器，从而对6叶片型谐振器52的中心部分形成60°(π/3)的角。由包括同轴线和波导的高频传播装置把高频电源所产生的高频能量传播到分割器和相移器。由以上分割器即高频分割装置把高频能量分割成三个部分。此外，由相移器即高频相移装置来设定三个分割而成的部分，从而位于耦合到6叶片型谐振器52的三个接头处每个高频的相位相差60°(π/3)。如同包括如上所述的8叶片型谐振器和两个高频耦合装置的结构，通过这样的结构，6叶片型谐振器52中心部分的高频谐振电场可同步于待耦合的高频的频率而旋转，并可获得相同的效果。
在如上所述的本实施例的结构中，当高频耦合装置的数目为M且将与每个高频耦合装置耦合的谐振器电场的最大值等于E0时，由公式2给出侧谐振器组中心部分的电场。
如同公式1，这里ω表示输入高频的角频率，t表示时间。然而，当给出侧谐振器组的侧谐振器的数目为N时，M为2或更大以及N/2或更小的整数。公式2示出侧谐振器组中心部分处的电场在与输入高频的频率相同的角频率ω下旋转。
通过以上结构，由于电场的方向旋转而不是向一个方向偏转，所以使无电极放电灯的放电等离子体和管壁的热分布变得均匀。这样，难于产生由热对流而引起的对等离子体模式的干扰，并提高了无电极放电灯的热抵抗力。
(实施例2)以下将参考图6和7来描述本发明的高频能量供给装置的第二实施例。
如此设计图6所示的6叶片型谐振器62来满足待耦合的高频能量的频率，从而在由单个高频耦合装置来耦合高频能量时谐振器以高频谐振电场横过位于中心部分的无电极放电灯61的2π/3模式进行操作。三个电场耦合型天线63即高频耦合装置连到6叶片型谐振器62，从而形成与谐振器中心部分相对120°(2π/3)的角。
接着，将参考图7来描述包括高频振荡器装置和高频分割以及相移装置的结构。通过由同轴线、波导以及类似元件构成的高频传播装置把来自高频电源的振荡高频能量传播到分割器或相移器。由所述分割器即高频分割装置把所传播的高频能量分割成三个部分。此外，由相移器即高频相移装置来设定这三个分割而成的部分，从而位于耦合到6叶片型谐振器72的第一电场耦合型天线63a的接头73a处高频的相位与位于第二电场耦合型天线63b的接头73b处高频的相位以及位于第三电场耦合型天线63e的接头73c处高频的相位相差120°(2π/3)。
由公式3给出在此时以上的6叶片型谐振器中心部分中的电场。
这里ω表示输入高频的角频率，t表示时间，E0表示由每个高频耦合装置所耦合的谐振电场的最大值。公式3示出6叶片型谐振器72的中心部分的电场在与输入高频的频率相同的角频率ω下旋转。
提供如上效应的结构并不限于6叶片型谐振器和3高频耦合装置。
在如上所述的本实施例的结构中，当高频耦合装置的数目为M且将与每个高频耦合装置耦合的谐振器电场的最大值等于E0时，由公式4给出侧谐振器组中心部分的电场。
如同公式3，这里ω表示输入高频的角频率，t表示时间。然而，当给出侧谐振器组的侧谐振器的数目为N时，M为3或更大以及N或更小的整数。公式4示出侧谐振器组中心部分处的电场在与输入高频的频率相同的角频率ω下旋转。
与第一实施例相同，通过以上结构，由于电场的方向旋转而不是向一个方向偏转，所以使无电极放电灯的放电等离子体和管壁的热分布变得均匀。这样，难于产生由热对流而引起的对等离子体模式的干扰，并提高了无电极放电灯的热抵抗力。此外，与第一实施例相比，电场还从相对于侧谐振器的侧面重叠，所以可使侧谐振器组更容易以2π/N模式进行操作。
(实施例3)以下将参考图8和9来描述本发明的高频能量供给装置的第三实施例。
将参考图8来描述高频无电极放电灯器件的结构，该器件包括两个高频振荡器装置、两个高频传播装置和两个高频耦合装置。8叶片型谐振器82和两个天线83a和83b即高频耦合装置与图1或图4所示依据第一实施例的那些装置相同。
由同轴线、波道和类似元件构成且通过第一高频耦合装置耦合到8叶片型谐振器82的部分83a的第一高频传播装置来传播来自高频电源1的振荡高频能量。由同轴线、波道和类似元件构成且通过第二高频耦合装置耦合到8叶片型谐振器82的部分83b的第二高频传播装置来传播来自高频电源2的振荡高频能量。通过第一高频耦合装置83a所耦合的高频能量，在8叶片型谐振器82的中心部分处产生沿图8中横向的高频谐振电场Ex。类似地，通过第二高频耦合装置83b耦合的高频能量，产生沿图8中竖直方向的高频谐振电场Ey。
此时，当用ω1来表示来自高频电源1的振荡高频的角频率，且用ω2来表示来自高频电源2的振荡高频的角频率时，由公式5给出在8叶片型谐振器82的中心部分处产生的电场的x分量和y分量。
这里t表示经过的时间，E0表示由每个高频耦合装置所耦合的谐振电场的最大值。例如，当来自高频电源2的振荡高频ω2的角频率比来自高频电源1的振荡高频ω1的角频率大10％时，由公式6来表示公式5。
在图9中示出在时间t变化到来自高频电源1的振荡高频进行了5个循环(0≤ω2t≤10π)时在8叶片型谐振器82的中心部分处产生的电场的x和y分量的轨迹的记录结果。
在t为0时，沿着倾斜的右上方的Ex和Ey的合成分量随着频率的偏移而逐步偏移到倾斜的左下方，最后从倾斜的右下方变到倾斜的左上方。
如上所述，通过对来自高频电源1的振荡高频的频率与来自高频电源2的振荡高频的频率加以区分，将由8叶片型谐振器82耦合的高频电场的每个合成分量因频率的不同而重复旋转。
与第一和第二实施例相同，通过以上结构，由于电场的方向旋转而不是向一个方向偏转，所以使无电极放电灯81的放电等离子体和管壁的热分布变得均匀。这样，难于产生由热对流而引起的对等离子体模式的干扰，并提高了无电极放电灯81的热抵抗力。此外，与第一和第二实施例相比，不需要对相位差进行调节的相当细致的操作。
虽然这里示出的例子使用了10％的频率差，但频率差也不限于10％。尤其是，由于在工业上允许使用的高频的每个ISM(工业、科学和医学)频带加以特定的带宽，所以频率差落在此带宽范围内。例如，中心频率为2.45GHz的ISM频带内可允许的带宽为±0.05GHz。因此，在此时，频率差可在0.1GHz的范围内变化。实际上，由于诸如磁控管等高频振荡器在以上可允许带宽内的振荡频率总是有误差，所以如果提供多个高频振荡器而不改变频率，自然可获得频率差。
然而，不希望频率差过大，这是因为该频率差将超出侧谐振器组的谐振频率或者考虑产生的其它谐振模式。因此，频率差最好在发生同一谐振模式的频率范围内。
产生以上效果的结构不限于每个都具有两个高频振荡器装置、两个高频传播装置和两个高频耦合装置的8叶片型谐振器。
例如，可使用图5所示的6叶片型谐振器和三个高频耦合装置来给出包括三个高频振荡装置、三个高频传播装置和三个高频耦合装置的结构。
虽然在以上的第一到第三实施例中把使用叶片型谐振器的例子作为侧谐振器组，但也可使用诸如孔-槽型谐振器等其它侧谐振器组。
此外，在以上的第一到第三实施例中，虽然只示出本发明的使用侧谐振器组的高频能量供给装置可应用于高频无电极放电灯器件方面，但本发明的高频能量供给装置的应用领域不限于此。例如，在利用诸如等离子体CVD、等离子体火炬和气体放电激光器等利用高频放电的器件中，形成直径相对小的稳定放电等离子体时需要由集中且不偏转的高频谐振电场来提供能量，在这时本发明的高频能量供给装置也是有用的。
为了使用高频能量对位于高频能量供给装置的中心部分上直径相对小的工件进行加热、光发射、熔化和蒸发，需要由集中且不偏转的均匀高频谐振电场来提供放电能量，在这时本发明的高频能量供给装置也是有用的。
除此之外，在本发明中，将被高频耦合装置耦合的多个高频的相位差可以互不相同。
如上所述，与使用侧谐振器组的常规微波能量供给装置相比，依据本发明，由于消除电场向一个方向的偏转且电场的方向旋转或周期性地变化，所以可提供均匀的高频能量。
这样，由热对流引起的对等离子体模式的极小干扰有利于产生和保持稳定的放电等离子体。此外，可使对无电极放电灯的放电管壁的热负载变得均匀，也提高了无电极放电灯的热抵抗力。
此外，可使提供给加热、光发射、熔化或蒸发的能量变得均匀。
权利要求
1．一种高频能量供给装置，其特征在于包括一组侧谐振器，这些侧谐振器实际上以环状的形式电气连接并使用在中心部分中产生的高频谐振电磁场来提供高频能量；以及多个高频耦合装置，用于把从多个高频传播路径所传播的多个高频能量耦合到所述侧谐振器组；其中从所述多个高频耦合装置耦合到所述侧谐振器组的多个高频的相位和/或频率互不相同。
2．如权利要求1所述的高频能量供给装置，其特征在于有两个所述的高频耦合装置，所述高频耦合装置不产生180度的空间角。
3．一种高频能量供给装置包括一组侧谐振器，这些侧谐振器实际上以环状的形式电气连接并使用在中心部分中产生的高频谐振电磁场来提供高频能量；高频振荡器装置；高频传播装置；高频分割装置，用于将由所述高频振荡器装置产生的并由所述高频传播装置传播的所述高频能量分割到多个传播路径；高频相移装置，用于把所述多个传播路径上的多个高频的相位偏移成不同的相位；以及多个高频耦合装置，用于把相位不同的所述多个高频能量耦合到所述侧谐振器组；其中，当所述高频耦合装置的数目为M时，由与所述侧谐振器组所形成的环中心相对的相邻的所述高频耦合装置所产生的较小的角为π/M；所述高频相移装置把相邻的所述高频耦合装置所耦合的高频能量的相位相互偏移π/M。
4．一种高频能量供给装置包括一组侧谐振器，这些侧谐振器实际上以环状的形式电气连接并使用在中心部分中产生的高频谐振电磁场来提供高频能量；高频振荡器装置；高频传播装置；高频分割装置，用于将由所述高频振荡器装置产生的并由所述高频传播装置传播的所述高频能量分割到多个传播路径；高频相移装置，用于把所述多个传播路径上的多个高频的相位偏移成不同的相位；以及多个高频耦合装置，用于把相位不同的所述多个高频能量耦合到所述侧谐振器组；其中，当所述高频耦合装置的数目为M时，M至少为3；由与所述侧谐振器组形成的环中心相对的相邻的所述高频耦合装置所产生的较小的角为2π/M；所述高频相移装置把相邻的所述高频耦合装置所耦合的高频能量的相位相互偏移2π/M。
5．一种高频能量供给装置包括一组侧谐振器，这些侧谐振器实际上以环状的形式电气连接并使用在中心部分中产生的高频谐振电磁场来提供高频能量；多个高频振荡器装置；多个高频传播装置；以及多个高频耦合装置，用于把由所述多个高频振荡器装置所产生的并由所述多个高频传播装置所传播所述多个高频能量耦合到所述侧谐振器组；其中，所述多个高频振荡器装置的数目与所述多个高频传播装置以及所述多个高频耦合装置的数目相同；所述多个高频耦合装置连接到构成所述侧谐振器组的不同的侧谐振器；以及由所述多个高频振荡器装置所产生的高频的频率互不相同。
6．如权利要求5所述的高频能量供给装置，其特征在于当所述高频耦合装置的数目为M时，由与所述侧谐振器组形成的环中心相对的相邻的所述高频耦合装置所产生较小的角为π/M。
7．如权利要求1到6中任一项所述的高频能量供给装置，其特征在于在所述侧谐振器组的数目为N时，由与所述侧谐振器组形成的环中心相对的每个所述侧谐振器产生的角为2π/N。
8．如权利要求1到7中任一项所述的高频能量供给装置，其特征在于当给出所述侧谐振器组的侧谐振器的数目为N时，相邻的所述侧谐振器之间的相位差为2π/N。
9．如权利要求1到8中任一项所述的高频能量供给装置，其特征在于所述侧谐振器组包括叶片型谐振器。
10．如权利要求1到9中任一项所述的高频能量供给装置，其特征在于所述高频耦合装置是电场耦合型或磁场耦合型。
11．一种高频无电极放电灯器件，其特征在于包括如权利要求1到10中任一项所述的高频能量供给装置以及无电极放电灯，其中所述无电极放电灯位于所述高频能量供给装置的环中心，由所述高频能量供给装置所提供的高频能量在所述无电极放电灯的放电管内部形成放电等离子体。
全文摘要
一种高频能量供给装置具有:一组侧谐振器,这些侧谐振器实际上以环状的形式电气连接并使用在中心部分中产生的高频谐振电磁场来提供高频能量;以及多个高频耦合装置,用于把从多个高频传播路径所传播的多个高频能量耦合到所述侧谐振器组;其中从所述多个高频耦合装置耦合到所述侧谐振器组的多个高频的相位和/或频率互不相同。
文档编号H05B41/24GK1218979SQ98123029
公开日1999年6月9日 申请日期1998年11月27日 优先权日1997年11月28日
发明者保知昌, 竹田守 申请人:松下电器产业株式会社