专利名称：高频加热装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及高频加热装置，特别涉及其电磁波密封结构。
作为高频加热装置的电磁波密封结构的第1先有技术，例如有
图10～12所示的扼流圈槽结构。首先，图10表示高频加热装置的整体构成，在主体21中设置炉22，放入被加热物后供给高频波，在其正面单元设置开关自如的便于取出和放入被加热物的门24。23是设置在主体21正面的周围单元的前板，在该前板23对面的门24部分形成扼流圈槽25。图11是扼流圈槽25部分的放大剖面图，图12是扼流圈槽25部分的放大斜视图，在扼流圈槽25，与前板23对面形成构成扼流圈槽壁的导体接触片26和从该导体接触片26的外边缘延伸至扼流圈槽25的内部的导体片27。28是扼流圈槽25的开口单元。在这样的扼流圈槽25的结构中，为发挥作为电磁波密封的功能，需要其扼流圈槽25的输入阻抗Zin满足Zin＝∞的条件。现在，扼流圈槽25的特性阻抗固定为Zo时，作为终端面短路时的输入阻抗Zin为Zin＝jZ0tan(β·l) (1)β是相位常数，l是扼流圈槽22的深度。在此，作为l＝λ/4，为β·l＝(2π/λ)·(λ/4)＝π/2、Zin＝jZotan(π/2)＝∞，可以满足Zin＝∞的条件。然而，在该第1先有技术中，由于扼流圈槽25没有阻抗调整用的导纳元件，故其结构尺寸仍旧影响到扼流圈槽25的性能。因此，如果以该结构将扼流圈槽25小型化的话，则电磁波密封性能恶化。
与此相反，作为高频加热装置的电磁波密封结构的第2先有技术，如图13所示，有将扼流圈槽25的外壁面作为周期结构体29的扼流圈结构(日本发明公告特公昭62-49715号公报)。该扼流圈结构在构成扼流圈槽25的外壁面形成周期结构体29，将其作为阻抗调整元件以纵向排列。可以说该周期结构体25构成模拟介质线路，以便使在周期结构体25的模拟介质线路上卷绕电磁场，传播电磁波。根据该作用而具有电磁波密封性能，但是，由于在周期结构体25的模拟介质线路中卷绕电磁场那样地分布，故在扼流圈槽25外侧的某种程度的范围内也存在电场。因而，在该结构中，在扼流圈结构的结构体的外侧需某种程度的空间，扼流圈结构整体的小型化困难。
并且，作为电磁波密封结构的第3先有技术，有图14所示的扼流圈槽结构(日本实用新型公告实公平4-13521号公报)。该扼流圈结构在前板23对面的导体接触片26形成缝隙单元30，成为将其作为阻抗元件的结构。它是将导体接触片26作为周期结构体的结构，但在关闭炉门时，由于该导体接触片26直接接触前板23，故作为阻抗调整元件的缝隙单元30分离。因此，在使用中恐怕由夹杂物等的混入及变形等而导致电磁波密封性能恶化。并且，如果如覆盖该缝隙单元30那样地安装以电介质等构成的罩的话，例如既使其是薄的罩，门间隙也变宽，致使电磁波密封性能恶化。门的间隙宽度对电磁波密封性能带来很大影响。
可是，高频加热装置(微波炉)可扩大放入被加热物的炉的有效容积，还有，在炉的有效容积相同时，期望具有如下扼流圈结构主体的外形尺寸小，可谋求设置场所的节省空间化，进一步防止外界因素导致的电磁波密封性能的恶化，经得起连续实际使用。
不过，在第1先有技术中，由于在扼流圈槽没有阻抗调整用的导纳元件，故其结构尺寸仍影响到扼流圈槽的性能。因此，在该结构中，如果将扼流圈槽小型化、将电磁波密封结构占有的空间变小的话，则存在着电磁波密封性能恶化的问题。在第2先有技术中，由于如同在周期结构体的模拟介电质线路中卷绕电磁场那样地分布，故在扼流圈槽的外侧的某种程度的范围中也存在电场。因而，在该结构中，在扼流圈结构的结构体外侧需某种程度的空间，存在难以实现扼流圈结构整体的小型化的问题。并且，在第3先有技术中，由于作为阻抗调整元件的缝隙单元分离，故在使用中恐怕由杂物等的混入及变形等导致电磁波密封性能恶化。并且，如果覆盖该缝隙单元那样地安装由绝缘材料等构成的罩的话，则例如既使其是薄的罩、也存在炉门间隙变宽和电磁波密封性能恶化的问题。
鉴于上述情形，本发明的目的在于提供可实现具有期望的电磁波密封性能、小型、耐久性好的扼流圈结构的高频加热装置。
为解决上述课题，本发明的第一方面是一种高频加热装置，它由在内部供给高频的主体和与在该主体上开关自如地设置的门相对的部分中的至少一方设置电磁波密封用的扼流圈槽、在该扼流圈槽内的纵向配置该扼流圈槽的输入阻抗调整用的导纳元件构成；其要点是，上述导纳元件由安装在从构成上述扼流圈槽壁的导体接触片的外边缘延伸至上述扼流圈槽内部的导体片的顶端缘的导体板或导体棒构成。根据该构成，漏电磁波进入扼波圈槽内，在扼流圈槽内传播。用配置在扼流圈槽内的导纳元件对在该扼流圈槽内传播的电磁波有效地调整输入阻抗，可得到良好的电磁波密封性能。
本发明第二方面的要点是，在上述第一方面记载的高频加热装置中，沿上述扼流圈槽的纵向排列多个的上述各导纳元件的宽度不超过排列间距的1/2的大小。依据该构成，导纳元件对在扼流圈槽内传播的电磁波发挥与波导管中的短路器结构相同的效果，在调整输入阻抗方面起到非常有效的作用。
本发明第三方面的要点是，在上述第一方面记载的高频加热装置中，上述扼波圈槽用全部导体面包围开口单元以外的壁面，由上述导纳元件以外的构成部分沿纵向构成波导管结构。根据该构成，在扼流圈槽内传播的电磁波被关在构成扼流圈槽的壁面的内侧，可靠地在扼流圈槽内传播。
本发明第四方面的要点是，在上述第一方面记载的高频加热装置中，排列多个的上述导纳元件的纵向排列间距比高频振荡的自由空间波长的1/4长。根据该构成，在扼流圈槽空间中传播的电磁波的管内波长一般比高频振荡的自由空间波长还长，故排列间距最优化，电磁波密封性能提高。
本发明第五方面的要点是，在上述第一方面记载的高频加热装置中，多个上述导纳元件将与上述主体的周围单元相对应的各边的中心附近作为基点来配置。依据该构成，如果注视其各边的话，在炉内激励将边的长度的整数等分的长度作为半波长的驻波，该驻波的波腹或波节位于各边的中心附近。由此，由于以边的中心附近为基点也分布漏电磁波，所以可更有效地调节输入阻抗。
本发明的第六方面的要点是，在上述第一方面记载的高频加热装置中，多个上述导纳元件在与上述主体的周围单元相对应的各边以不同的间距排列。依据该构成，由于炉开口的长与宽一般不相等，故炉内的驻波的波长因各边而不同。调节各边的导纳元件的排列间距，可进一步改善电磁波密封性能。
本发明第七方面的要点是，在上述第一方面记载的高频加热装置中，在上述扼流圈槽的开口单元设置电介质制的罩。依据该构成，可保护导纳元件完全不受外界因素影响，可完全防止夹杂物的混入、外界因素导致的变形等电磁波密封性能恶化的主要原因。
本发明第八方面的要点是，在上述第一方面记载的高频加热装置中，以安装在从上述导体接触片、该导体接触片的外边缘延伸至上述扼流圈槽内部的导体片及该导体片的顶端缘的导体板或导体棒形成的上述导纳元件由弯曲结构形成。根据该构成，可提高扼流圈结构的小型化，可易于实现制造性。
图1是表示本发明高频加热装置的实施例的扼流圈槽部分的构成的斜视图。
图2是表示上述实施例的导纳元件的宽度与电磁波密封性能的关系的图。
图3是表示上述实施例的导纳元件的排列间距与电磁波密封性能的关系的图。
图4是用于说明上述实施例的炉内的驻波的图。
图5是表示上述实施例的导纳元件的各边的排列间距与电磁波密封性能的关系的图。
图6是表示在上述实施例中在扼波圈槽的开口单元安装绝缘材料制的罩的状态的斜视图。
图7是表示上述图6中绝缘材料制的罩的其他安装方法的斜视图。
图8是用于为说明上述实施例的扼流圈结构的制造方法的图。
图9是用于说明上述实施例的扼流圈槽的原理构成及作用的图。
图10是第1先有技术的高频加热装置的炉门敞开时的外观图。
图11是沿图10的A-A’的放大剖面表示上述第1先有技术的扼流圈结构的图。
图12是表示上述第1先有技术的扼流圈槽部分的构成的放大斜视图。
图13是表示在高频加热装置的第2先有技术中的扼流圈槽部分的构成的斜视图。
图14是表示在高频加热装置的第3先有技术中的扼流圈槽部分的构成的斜视图。
首先，使用图9的(a)、(b)从配置了输入阻抗调整用的导纳元件的扼流圈槽的原理构成及作用进行说明。在图9(a)中，3是设在主体整体的周围单元的前板，在与该前板3对面的门部分形成扼流圈槽10。并且，在该扼流圈槽10的电深度的中间位置插入导纳元件4。图中，一般将特性阻抗以不同符号Z01、Z02表示，但当然也可以是Z01＝Z02。关于β、I也是一样的。在扼流圈槽10中插入导纳元件4，仅调整以任意的特性阻抗Z01、Z02、β、l构成的任意尺寸的扼流圈槽10和该导纳元件4的值，便可具有希望的电磁波密封性能。用图9(b)的等效电路图对此进行说明。
在扼流圈槽10中插入导纳元件4，在等效电路中将导纳Y进行插入传输线路中。下面求从这时的扼流圈槽10的输入端看去的输出阻抗Zin。
从四端网络电路的观点，分别将输入电压、输入电流、输出电压、输出电流作为E1、I1、E2、I2时，输入阻抗Zin使用四端网络常数a、b、c、d表示为[表达式1]E1I1=abcdE2I2---(2)]]>，这里，作为终端面短路，E2＝0时，成为E1I1=abcd0I2=bI2dI2---(3)]]>，输入阻抗Zin为Zin＝El/Il＝b/d。
接着，求图9(b)的等效电路的四端网络常数。由于在传输线路的中间单元并行插入导纳Y，所以成为如下式4。abcd=cosβ1l1jZ01sinβ1l1jsinβ1l1Z01cosβ1l1]]>10Y1cosβ2l2jZ02sinβ2l2jsinβ2l2Z02cosβ2l2---(4)]]>这里，Z01、Z02是线路的特性阻抗，β1、β2是相位常数。现在，由于作为一般表达式描述，故在传输线路的并行导纳Y的插入位置的前后，用不同的符号表示特性阻抗及相位常数，但当然也包括Z01＝Z02、β1＝β2时。由此，输入阻抗Zin为[表达式3]Zin＝b/d＝〔-Y·Z01·Z02tanβ1l1·tanβ2l2+j(Z01tan，β1l1+Z02tanβ2l2)〕/〔(1-(Z02/Z01)·tanβ1l1·tanβ2l2)+jY·Z02tan β2l2〕(5)。在该式5中，作为Zin＝∞的条件，分母为0的话也可。
(1)Y＝0时Y＝0时，相当于上述第1先有技术时。即为不插入导纳元件时。这时，作为Zin＝∞的条件，需满足[表达式4]1-(Z02/Z01)·tanβ1l1·tanβ2l2＝0 (6)，必须调整特性阻抗Z01、Z02、相位常数β1、β2等，阻抗匹配比较困难。并且，Y＝0且Z01＝Z02、β1＝β2时，式5与式1为相同的表达式，只有l1+l2＝λ/4时才满足Zin＝∞的条件。
(2)插入导纳元件4时，Y≠0；另一方面，在本实施例中，并行插入导纳Y时，推导Zin＝∞的条件，由于式5的分母为0的话也可，故满足[表达式5](1-(Z02/Z01)·tanβ1l1·tanβ2l2+jY·Z02tanβ2l2＝0 (7)的话也可。因而，若从此并行插入满足[表达式6]Y＝j(1-(Z02/Z01)·tanβ1l1·tanβ2l2)/Z02tanβ2l2(8)的导纳Y的话，则对具有任意的特性阻抗、相位常数及扼流圈槽物理长度的扼流圈槽结构，可在具有电磁波密封性能的Zin＝∞的条件中推导其扼流圈槽10。即，通过对任意构成的扼流圈槽10，插入满足式8的导纳元件4，可以满足扼流圈槽10的Zin＝∞的条件。
现在，具体地将并行插入的导纳Y的值用电导G和电纳B表示为Y＝G+jB (9)时，式8为[表达式7]Y＝G+jB＝j(1-(Z02/Z01)·tanβ1l1·tanβ2l2)/Z02tanβ2l2G＝0(10)
B＝(1-(Z02/Z01)·tanβ1l1·tanβ2l2)/Z02tanβ2l2(11)。电导G一般是小的值，G约为0，可忽视。现在，如果用容抗ωC和感抗1/ωL将电纳B表示为B＝[ωC-(1/ωL)]的话，则式10为[表达式8]Y＝jB＝j〔ωC-(1/ωL)〕＝j〔(1-(Z02/Z01)·tanβ1l1·tanβ2l2)/Z02tanβ2l2〕 (12)。在Zin＝∞的条件导入扼流圈槽10，满足式12即可。即，将满足式11的导纳Y＝jB＝j[ωC-(1/ωL)]插入扼流圈槽10的电深度方向的中间单元，可在Zin＝∞的条件中导入任意扼流圈槽10的输入阻抗。
接着，使用图1至图8说明本发明的实施例。
图1表示本实施例的电磁波密封结构。本发明的发明人发现，用完全连续的导体板构成扼流圈槽的开口单元以外的构成壁面，在扼流圈槽的纵向，扼流圈作为构成波导管结构的形状，对在该扼流圈槽内传播的电流，插入用于调整阻抗的导纳元件，可提高密封性能。即，如图1所示，导纳元件4在前板3对面，由安装在从构成扼流圈槽壁的导体接触片1的外边缘延伸至扼流圈槽10内部的导体片2的顶端缘的导体板或导体棒构成。5是扼流圈槽10的开口单元。该机构不同于上述第2先有例的扼流圈结构的纵向的电磁波传播机构。在第2先有例中，将扼流圈槽的外侧壁面本身作为周期结构体，其周期结构体的线路组构成模拟电介质线路，电磁波象卷绕在该周期结构体上那样传播。因而，没有波导管的概念。因此，在第2先有例中，由于卷绕在周期结构体的电场也分布在扼流圈结构体的外侧，故在扼流圈槽结构的外侧的某种程度的范围中也分布电场。对此，在本实施例中，由于是将扼流圈槽10内部的空间作为波导管传播电磁波的结构，故象第2先有例那样，在扼流圈结构体的外侧不分布电场，在构成扼流圈槽10的各壁面内构成关闭的空间，在扼流圈槽10内传播的电磁波被关在构成扼流圈槽的壁面的内侧。因而，在扼流圈槽结构体的外侧不需空间，扼流圈结构可小型化。其结果，与扼流圈结构相对应的炉开口单元周围的前板3部分的宽度可变小，这样，炉内可展宽。例如，先有的高频加热装置(微波炉)的有效容积率(有效容积相对于主体外形尺寸体积的比例)约为35％，但在本实施例约可提高到45％。如果进一步将其用具体数值例表示的话，则主体的外形尺寸为宽W＝470mm、高T＝290mm、深D＝380mm(51.8liter)时，先有的高频加热装置为前板宽37mm、炉尺寸为W＝310mm、T＝187mm、D＝310mm(17.8liter)，有效容积率约为35％。与此不同，在本实施例中，前板可小到25mm，炉尺寸为W＝334mm、T＝211mm、D＝334mm(23.5liter)，有效容积率约提高到45％。
图2示出了导纳元件4的宽度与电磁波密封性能的关系。发现，将导纳元件4的宽度处理成比纵向的间距P的1/2还窄，对在扼流圈槽10内传播的电磁波，用波导管发挥与所说的短管结构同等的效果，在调整阻抗方面起到非常有效的作用。图2表示其实验值。同图是将炉门扼流圈结构对面的前板3的宽度小到25mm时的实验值。将导纳元件4的宽处理成比纵向的间距P的1/2还窄，即使将炉向板3的宽度窄到25mm时，也可满足JIS规定的标准值。进一步，最好将导纳元件4的宽度处理为7mm以下，这样可发挥更大的效果。将导纳元件4的宽度处理为7mm以下，密封性能可提高到JIS标准值的
并且，图2的导纳元件4的宽度为0mm时(即，不插入导纳元件时→相当于第1先有技术的图12)，如果前板宽度窄到25mm的话，则密封性能不能满足JIS标准值。如果没有阻抗调整元件的话，由于扼流圈槽的结构尺寸仍旧影响到密封性能，故将扼流圈结构小型化到炉前板宽度25mm时，扼流圈槽的结构尺寸也变小，密封性能恶化。如果将导纳元件4的宽度进一步处理到比7mm还窄的话，则密封性能进一步提高，但宽度极接近0mm时，密封性能急剧恶化。导纳元件4的宽度的下限值由制造性或结构强度决定。
图3示出了导纳元件4的排列间距与电磁波密封性能的关系。由于在扼流圈槽空间传播的电磁波的波导管内波长一般比振荡电磁波的自由空间波长还长，故为对其传播电磁波有效地配置导纳元件4，以波导管内波长的1/4间距配置即可，结果，导纳元件4的纵向的排列间距的最佳值比自由空间波长的1/4还长。图3表示其实验值。
图4是为说明炉内的驻波的图。关于导纳元件4的纵向的排列方法，设置以各边的中心附近为原点的导纳元件4，将其作为原点、在纵向排列导纳元件4是有效的。这可以从如下理由说明。在微波炉内，由于激励微波的三维驻波，故注视一边来看的话，在两壁面的位置为驻波的波节或波腹，激励以边的长度的整数等分的长度为半波长的驻波。图4表示其一侧。在图4的例中，在炉的宽度方向激励5次驻波。如果观察边的中心的话，则为驻波的波腹位置。同样考虑的话，则驻波的波腹或波节定位在边的中心附近，由于该炉内的驻波进入扼流圈槽10，结果，以边的中心附近为原点也分布漏电磁波。对此，同样，以该边的中心附近为原点排列导纳元件4的话，可更有效地调节输入阻抗。
图5示出了在导纳元件4的各边排列间距与电磁波密封性能的关系。分别调节扼流圈槽10的各边(上边、下边、左边、右边)的导纳元件4的排列间距，发现可进一步寻求电磁波密封性能的改善。图5表示其实验值，示出了在将上下边间距调节为a、将左右边间距调节为b时，电磁波密封性能最好。所谓全周间距a或全周间距b，是指全周间距一律为a或b时，这时，与上述相比，电磁波密封性能恶化。这是由于炉开口的横向宽度与纵向宽度一般不相等，故各边炉内的驻波的波长不同，对此，各边的扼流圈结构内的导纳元件的最佳排列间距也不同。
图6、图7示出了在扼流圈槽10的开口单元安装绝缘材料制的罩6的状态。在第1实施例的扼流圈结构中，在扼流圈槽10的开口单元5安装电介体的罩6，阻抗调整用的导纳元件4可对外因完全保护，完全防止夹杂物的混入及外因导致的变形等密封性能恶化的主要原因，可实现耐久性出色的扼流圈结构。并且，按照第1实施例的扼流圈结构，由于阻抗调整用的导纳元件4的作用在扼流圈槽10中包围的空间结束，故在扼流圈槽10传播的电磁波全部进入构成扼流圈结构的壁面的内侧。因此，构成扼流圈结构的壁面的外侧不需空间，可节省扼流圈结构整体的空间。并且，图7表示该电介体罩6的安装方法的一例。为使电介体罩6不落入扼流圈槽10内，设有支架单元7，并且，反之，为不掉在外侧，在扼流圈结构体中设有用于进行固定的爪8。为使电介体罩6不落入扼流圈槽10内，也有将绝缘材料罩6的一部分延伸、与扼流圈槽10的底部接触进行固定的方法。
图8示出了导体接触片1、导体片2及导纳元件4等的制造方法例。关于扼流圈结构的制造方法，从导体接触片1到导纳元件4，先有技术采用图8(a)的型式，采取冲压的制造方法。对此，在本实施例中，新采用弯曲结构的制造方法。图8(b)表示该制造方法。正好是去掉拐角部分9的弯曲部分的形状。11是弯曲单元，12是冲孔金属。这样，与先有技术相比，可使制造方法简化。
如上所述，按照本发明的第一方面记载的内容，由于导纳元件由安装在从构成扼流圈槽壁的导体接触片的外边缘延伸至上述扼流圈槽内部的导体片的顶端缘的导体板或导体棒构成，故漏电磁波进入扼波圈槽内，在扼流圈槽内传播，因为用导纳元件可有效调整输入阻抗，所以在扼流圈结构体的外侧不分布电场，在扼流圈结构体的外侧不需空间，用小型的扼流圈结构，可具有希望的电磁波密封性能。
按照本发明的第二方面，由于在上述扼流圈槽的纵向排列的多个上述导纳元件的各宽度为不超过排列间距的1/2的大小，故导纳元件发挥与波导管中的短管结构同等的效果，因为在调整输入阻抗方面起到非常有效的作用，所以扼流圈结构体可更加小型化。
按照本发明第三方面记载的内容，由于上述扼流圈槽用全部导体面包围开口单元以外的壁面，在上述导纳元件以外的构成部分以纵向构成波导管结构，故将在扼流圈槽内传播的电磁波关在构成扼流圈槽的壁面的内侧，能够可靠地在扼流圈槽内传播。
按照本发明的第四方面记载的内容，由于排列多个的上述导纳元件的纵向的排列间距比高频振荡的自由空间波长的1/4长，故在扼流圈槽空间传播的电磁波的波导管内波长一般比高频振荡的自由空间波长还长，所以排列间距最佳化，可更加提高电磁波密封性能。
按照本发明的第五方面记载的内容，由于多个上述导纳元件以与上述主体的周围单元相对应的各边的中心附近作为原点来配置，故漏电磁波以边的中心附近为原点分布，所以可更有效地调节输入阻抗。
按照本发明的第六方面记载的内容，由于多个上述导纳元件在与上述主体的周围单元相对应的各边以不同的间距排列，故炉开口的横向长度与纵向宽度一般不相等，在各边炉内的驻波的波长不同，所以排列间距更加最佳化，可进一步提高电磁波密封性能。
按照本发明的第七方面记载的内容，由于在上述扼流圈槽的开口单元设置电介体制的罩，故导纳元件可完全保护不受外因影响，可实现耐久性出色的扼流圈结构。
按照本发明的第八方面记载的内容，由于以安装在从上述导体接触片、该导体接触片的外边缘延伸至上述扼流圈槽内部的导体片及该导体片的顶端缘的导体板或导体棒构成的上述导纳元件由弯曲结构形成，故可提高扼流圈结构的小型化等，可易于实现制造性。
权利要求
1.一种高频加热装置，由在向内部供给高频的主体和与在该主体上开关自如地设置的门对面的部分的至少一方设置电磁波密封用的扼流圈槽、在该扼流圈槽内的纵向配置该扼流圈槽的输入阻抗调整用的导纳元件构成，其特征在于上述导纳元件由安装在从构成上述扼流圈槽壁的导体接触片的外边缘延伸至上述扼流圈槽内部的导体片的顶端缘的导体板或导体棒构成。
2.权利要求1记载的高频加热装置，其特征在于以上述扼流圈槽的纵向排列多个的上述导纳元件的各宽度不超过排列间距的1/2的大小。
3.权利要求1记载的高频加热装置，其特征在于上述扼流圈槽用全部导体面包围开口单元以外的壁面，在上述导纳元件以外的构成部分以纵向形成波导管结构。
4.权利要求1记载的高频加热装置，其特征在于排列多个的上述导纳元件的纵向的排列间距比高频振荡的自由空间波长的1/4长。
5.权利要求1记载的高频加热装置，其特征在于多个上述导纳元件将与上述主体的周围单元相对应的各边的中心附近作为原点配置。
6.权利要求1记载的高频加热装置，其特征在于多个上述导纳元件在与上述主体的周围单元相对应的各边以不同的间距排列。
7.权利要求1记载的高频加热装置，其特征在于在上述扼流圈槽的开口单元设置电介质制的罩。
8.权利要求1记载的高频加热装置，其特征在于以安装在从上述导体接触片、该导体接触片的外边缘延伸至上述扼流圈槽的内部的导体片及该导体片的顶端缘的导体板或导体棒形成的上述导纳元件由弯曲结构形成。
全文摘要
本发明的目的在于实现具有希望的电磁波密封性能、且小型、耐久性好的扼流圈结构。由安装在从构成扼流圈槽壁的导体接触片1的外边缘延伸至扼流圈槽10内部的导体片2的顶端缘的导体板或导体棒构成。
文档编号H05B6/76GK1192520SQ9810600
公开日1998年9月9日 申请日期1998年3月4日 优先权日1997年3月5日
发明者古田和浩, 中川达也, 柿泽俊夫 申请人:株式会社东芝