专利名称：一种去除熔体表面浮渣的技术的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种在切克劳斯基单晶炉内去除熔体表面浮渣的技术。
在采用切克劳斯基方法拉制单晶中，在坩埚内的固体原料熔融之后，往往会在熔体表面出现浮渣。为了减少以及避免浮渣层的出现，使之不致影响晶体生长，现有技术均依靠在进料前在炉外进行付蚀清洗等去除氧化物的措施。但对于熔点较低、氧化速度较快的材料来说，即使进行及时充分的付蚀清洗，仍难避免在熔体表面会出现较多浮渣，从而难以保证晶体的顺利生长。
为了克服现有技术的上述缺陷，本发明采用了一种双层坩埚的方法去除熔体表面的浮渣，双层坩埚的下层是已有技术中用于拉制单晶的一般坩埚，在其上设有一个可以在它的埚口搁置且底部有一孔口的上坩埚，并有一根直柄穿过上坩埚底部的孔口垂直连接在一个面积大于孔口的托盘上，托盘与上坩埚底部之间的托接表面是经过对磨的密封面，上坩埚的升降、分离与搁置以及托盘对上坩埚的紧托与分离均由设置在单晶炉内的机械手持握直柄操纵。本发明在拉制单晶前采用的去除熔体表面浮渣方法经历附图所示的四个步骤a)将装载固体料(4)的上层坩埚(3)由在单晶炉内设置的机械手提悬于下坩埚(1)的上方;b)加热上坩埚使所载固体料全部熔融，这时有一层浮渣(7)出现在熔体(6)表面;c)机械手降落上坩埚的直柄(5)，使上坩埚底部套搁在下坩埚口上，上坩埚底与托盘(2)分离，上坩埚内的熔体从底部孔口漏落到下坩埚内;d)当上坩埚的熔体接近漏尽、浮渣层即将贴近底面时，由机械手提拉直柄移开上坩埚及其中的浮渣与残存剩料。经过这样的步骤去除浮渣后，为单晶生长提供了良好条件，保证了单晶质量，提高了单晶的合格率。
本发明适用于各种半导体单晶生长工艺，特别适用于GaAs、InP、InSb以及GaSb等化合物半导体单晶的生长工艺。本发明的一项实施例就是在生长GaSb单晶中采用了这种去除熔体表面浮渣的方法。
附图示意本发明用双层坩埚法去除熔体表面浮渣的步骤a)将装料的上坩埚提悬于下坩埚的上方，其中1为下坩埚，2为托盘，3为上坩埚，4为固体原料，5为直柄。
b)加热上坩埚，固体原料全部熔融，熔体表面有浮渣，其中6为熔体，7为浮渣。
c)下降上坩埚使之搁置在下坩埚口上，放松直柄使托盘与上坩埚底之间有缝隙，熔体由此漏入下坩埚。
d)提拉直柄，移开上坩埚及其中的浮渣与残存剩料。
权利要求
1.一种在切克劳斯基单晶炉内去除熔体表面浮渣的技术，其特征为，在单晶炉内用于生长晶体的一般坩埚上设有一个可以搁置、且其底部有一孔口的上层坩埚，并有一根直柄穿过上坩埚底部的孔口垂直连接在一个面积大于孔口的托盘上，托盘与上坩埚底部之间的托接表面是经过对磨的密封面，上坩埚的升降、搁置与分离以及托盘对上坩埚的紧托与分离均由设置在单晶炉内的机械手持握直柄操纵，在单晶生长前利用上述装置去除熔体表面浮渣的步骤为a)将装载固体料的上层坩埚由机械手提悬于下坩埚的上方，b)加热上坩埚使所载固体料全部熔融，c)通过机械手下降上坩埚使之搁置在下坩埚口上，放松直柄使托盘与上坩埚底分离，熔体漏入下坩埚，d)提拉直柄，移开上坩埚及其中的浮渣与残存剩料。
2.按照权利要求1所述在切克劳斯基单晶炉内去除熔体表面浮渣技术的特征为，所述熔体就是GaSb的熔体。
全文摘要
本发明公开了一种在切克劳斯基单晶炉内去除熔体表面浮渣的技术，它在生长晶体的一般坩埚上设置一个底部有孔口的上坩埚，并有一个托盘连接直柄穿过孔口提托上坩埚，先使固体物料在上坩埚中熔融，再让熔体从孔口漏入下坩埚，然后提托上坩埚去除浮渣。这种方法的装置简单，操作方便，效果极佳。
文档编号C30B15/10GK1046567SQ9010428
公开日1990年10月31日 申请日期1990年6月15日 优先权日1990年6月15日
发明者焦景华, 余辉, 叶式中 申请人:中国科学院半导体研究所