单晶生长装料用双层坩埚的利记博彩app
【专利摘要】一种单晶生长装料用双层坩埚 ， 涉及一种装料装置，尤其是一种通过提高坩埚高度，提高生产效率的单晶生长装料用双层坩埚。本实用新型的单晶生长装料用双层坩埚，其特征在于该双层坩埚包括石英管、上层坩埚、下层坩埚、中环以及石英封帽，上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内，且上层坩埚设置在下层坩埚上方，中环放置在上层坩埚与下层坩埚之间，石英封帽设置在石英管顶部。本实用新型的单晶生长装料用双层坩埚，设计科学，结构简单，使用方便，将现有工艺中使用的单层坩埚变为双层坩埚，将原有每次7-8Kg的加工量提高到10Kg以上，提高了单位时间内的加工效率，有利于企业提高产能，降低单位成本，提高利润。
【专利说明】单晶生长装料用双层坩埚
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种装料装置，尤其是一种通过提高坩祸高度，提高生产效率的单晶生长装料用双层坩祸。
【背景技术】
[0002]VGF法是利用坩祸作为容器，在低真空环境下，通过精确控温，通过化料、熔晶再使用垂直梯度凝固法进行晶体生长的一种方法，最初的VGF法是80年代初用于生长半导体材料GaAs单晶的方法。人们成功地用VGF法生长出GaAs单晶，并对其生长工艺进行了深入研宄，并用VGF法生长出了大直径掺磷锗单晶。
[0003]在VGF方法中，受到现有工艺的限制，导致坩祸体积较小，由于相同重量的区熔锗锭的固液体积相差5%左右，使用长度为200mm的坩祸，如果只是用一层坩祸，每次只能装下7 — SKg的固体区熔锗锭，在相同的生产条件下，如电费、人工等成本一定的情况下，不利于企业提高生产效率，降低生产成本，严重制约了企业的利润。
【发明内容】
[0004]本实用新型所要解决的就是目前利用VGF法进行锗晶体生长过程中，受到工艺限制，坩祸体积较小，不利于企业提高生产效率，降低生产成本的问题，提供一种通过提高坩祸高度，提高生产效率的单晶生长装料用双层坩祸。
[0005]本实用新型的单晶生长装料用双层坩祸，其特征在于该双层坩祸包括石英管、上层坩祸、下层坩祸、中环以及石英封帽，上层坩祸与下层坩祸放置在石英管内，且上层坩祸设置在下层坩祸上方，中环放置在上层坩祸与下层坩祸之间，石英封帽设置在石英管顶部。
[0006]所述的中环通过加热方式粘结在石英管内壁上。
[0007]将区熔锗锭分别放入上层坩祸和下层坩祸内，同时加入其他掺杂物如高纯镓、三氧化二硼，然后将石英封帽盖在石英管顶部，然后对石英管进行抽真空，达到合适的真空后，依次把石英封帽、中环焊接，完成装料，之后再对石英管进行加热、恒温以及冷却等过程，区熔锗锭在下层坩祸内完成单晶生长。
[0008]本实用新型的单晶生长装料用双层坩祸，设计科学，结构简单，使用方便，将现有工艺中使用的单层坩祸变为双层坩祸，将原有每次7-8Kg的加工量提高到1Kg以上，提高了单位时间内的加工效率，有利于企业提高产能，降低单位成本，提高利润。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型结构示意图。
[0010]其中，石英管1，上层坩祸2，下层坩祸3，中环4，石英封帽5。
【具体实施方式】
[0011]实施例1:一种单晶生长装料用双层坩祸，包括石英管1、上层坩祸2、下层坩祸3、中环4以及石英封帽5，上层坩祸2与下层坩祸3放置在石英管I内，且上层坩祸2设置在下层坩祸3上方，中环4放置在上层坩祸2与下层坩祸3之间，石英封帽5设置在石英管I顶部。中环4通过加热方式粘结在石英管I内壁上。
[0012]将区熔锗锭分别放入上层坩祸2和下层坩祸3内，同时加入其他掺杂物如高纯镓、三氧化二硼，然后将石英封帽5盖在石英管I顶部，然后对石英管I进行抽真空，达到合适的真空后，依次把石英封帽5、中环4焊接，完成装料，之后再对石英管I进行加热、恒温以及冷却等过程，区熔锗锭在下层坩祸3内完成单晶生长。
【权利要求】
1.一种单晶生长装料用双层坩祸，其特征在于该双层坩祸包括石英管〔0、上层坩祸(之)、下层坩祸(31中环(4)以及石英封帽(5),上层坩祸(2)与下层坩祸(3)放置在石英管(1)内，且上层坩祸(2)设置在下层坩祸(3)上方，中环(4)放置在上层坩祸(2)与下层坩祸(3)之间，石英封帽(5)设置在石英管(1)顶部。
2.如权利要求1所述的单晶生长装料用双层坩祸，其特征在于所述的中环(4)通过加热方式粘结在石英管(1)内壁上。
【文档编号】C30B11/00GK204198896SQ201420661302
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月7日 优先权日:2014年11月7日
【发明者】李武芳, 董汝昆, 包文臻, 祝永成, 高云浩, 金之生, 王朝思 申请人:云南中科鑫圆晶体材料有限公司