硅液提取装置及多晶硅铸锭掺杂方法
【专利摘要】本发明涉及一种硅液提取装置及多晶硅铸锭掺杂方法，所述硅液提取装置包括固定杆、转接件、连接杆和取料斗，所述固定杆的一端滑动连接于炉体的顶端，所述固定杆另一端固定连接所述转接件，所述转接件可拆卸连接所述连接杆的一端，所述连接杆的长度方向平行于所述固定杆的长度方向，所述连接杆的另一端可拆卸连接所述取料斗，所述取料斗的开口方向平行于所述连接杆的长度方向，并朝向所述固定杆一侧，所述取料斗随所述固定杆的滑动插入所述坩埚内，进而取出所述硅液。，所述取料斗的开口方向平行于所述连接杆的长度方向，并朝向所述固定杆一侧，实现对硅液的提取，从而方便对多晶硅铸锭的电阻率进行测试。
【专利说明】硅液提取装置及多晶硅铸锭掺杂方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及多晶硅铸锭领域，尤其涉及一种硅液提取装置及多晶硅铸锭掺杂方法。
【背景技术】
[0002]现有多晶铸锭技术，生产出的硅锭，电阻率从尾部到头部受掺杂剂分凝的影响，一般呈现下降的趋势，下降幅度高的达0.3ohmm以上，硅块电阻率的下降在硅块切割成硅片的环节也会体现出电阻率的下降，造成硅片电阻率存在波动。因而，目前多晶硅铸锭技术中无法控制硅块电阻率从头至尾均匀分布。而且目前多晶硅铸锭后，硅块头部中存在大量杂质以及较高的硼元素和磷元素，从而导致硅块体现出N型半导体或是重掺，进而影响硅块的电阻率，使得硅块难以进行使用。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种提高多晶硅铸锭使用效率的硅液提取装置及多晶硅铸锭掺杂方法。
[0004]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种硅液提取装置，其中，所述硅液提取装置包括炉体、坩埚、导气管、固定杆、转接件、连接杆和取料斗，所述炉体内收容所述坩埚，所述坩埚内用以放置硅液，所述导气管装于所述炉体顶端，所述导气管与所述炉体贯通，所述导气管的长度方向朝向所述坩埚开口端，所述固定杆、转接件、连接杆和取料斗收容于导气管内，所述固定杆的一端滑动连接于所述导气管远离所述坩埚一端，所述固定杆另一端固定连接所述转接件，所述转接件可拆卸连接所述连接杆的一端，所述连接杆的长度方向平行于所述固定杆的长度方向，所述连接杆的另一端可拆卸连接所述取料斗，所述取料斗的开口方向平行于所述连接杆的长度方向，并朝向所述固定杆一侧，所述取料斗随所述固定杆的滑动插入所述坩埚内，进而取出所述硅液。
[0005]其中，所述连接杆的材质采用石墨、石英、碳化硅、氮化硅的任意一种稳定物质。
[0006]其中，所述取料斗的材质采用石墨、石英、碳化硅、氮化硅的任意一种稳定物质。
[0007]其中，所述取料斗设有插孔，所述连接杆远离所述固定杆一端插入所述插孔内，并通过螺钉固定住所述取料斗。
[0008]本发明还提供一种多晶硅铸锭掺杂方法，其中，所述多晶硅铸锭掺杂方法应用上述的硅液提取装置，所述多晶硅铸锭掺杂方法包括如下步骤:
[0009]在所述坩埚中添加硅料，并将硅料加热，待硅料融化成硅液；
[0010]将所述硅液提取装置插入所述硅液中，确保所述硅液淹没所述取料斗；
[0011]将载有硅液的取料斗提升至所述导气管内，待所述硅液凝固成硅块；
[0012]取出载有所述硅块的取料斗，去掉所述取料斗，测出所述硅块的电阻率值；
[0013]根据所述电阻率值，向所述硅液掺杂。
[0014]其中，在取出所述取料斗和硅块的步骤中，获得所述硅块后，对所述硅块进行质量检测，所述质量检测包括:
[0015]所述硅块表面是否带有杂质；
[0016]所述娃块表面是否平整；
[0017]所述硅块的测量厚度要求大于或等于5_ ；
[0018]所述硅块的测量区域要求大于电阻率探头的端面。
[0019]其中，对所述硅块进行电阻率值测试包括步骤:对所述硅块的端面几何中心处测量电阻率；对所述硅块测量至少5次。
[0020]其中，在根据所述电阻率值，向所述硅液中掺杂的步骤中，
[0021]当测得所述硅块为P型半导体，且电阻率低于目标电阻率时，需向硅液中加入第V族元素进行补偿；
[0022]当测得所述硅块为P型半导体，且电阻率高于目标电阻率时，需向硅液中加入第III族元素进行掺杂；
[0023]当测得所述硅块为N型半导体，需向硅液中加入第III族元素进行掺杂，重复所述提取硅液步骤，以及所述测量硅块电阻率值步骤，直至测得所述硅块为P型半导体。
[0024]其中，在将所述硅液提取装置放置于导气管内的步骤中，将所述取料斗的开口方向调整为竖直朝上，并调整所述取料斗的几何中心在所述导气管的中心轴上，确保所述取料斗的底端端面距离所述导气管的底部开口端大于或等于5cm。
[0025]其中，在取出所述取料斗和硅块的步骤中，将所述取料斗从所述硅液提取装置拆卸掉，并对所述取料斗进行打磨或者切削工艺，以获得所述硅块。
[0026]本发明提供的硅液提取装置，通过所述转接件可拆卸连接所述连接杆的一端，所述连接杆的另一端可拆卸连接所述取料斗，所述取料斗的开口方向平行于所述连接杆的长度方向，并朝向所述固定杆一侧，实现对娃液的提取，从而方便对多晶娃铸锭的电阻率进行测试。
[0027]本发明提供的多晶硅铸锭掺杂方法，通过利用所述硅液提取装置提取硅液，待硅液冷凝成硅块后，对所述硅块进行电阻率测试，从而根据硅块的电阻率值向硅液中添加掺杂物，从而对多晶娃铸淀的电阻率进行控制，提闻了多晶娃铸淀的使用效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1是本发明提供的硅液提取装置的示意图；
[0030]图2是本发明提供的硅液提取装置和多晶硅铸锭炉的截面示意图；
[0031]图3是本发明提供的多晶硅铸锭掺杂方法流程示意图。
【具体实施方式】
[0032]下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0033]请参阅图1和图2，本发明提供一种硅液提取装置100，所述硅液提取装置100包括炉体1、坩埚2、导气管3、固定杆10、转接件20、连接杆30和取料斗40。所述炉体I内收容所述坩埚2，所述坩埚2内用以放置硅液。所述导气管3装于所述炉体I顶端，所述导气管3贯通所述炉体I。所述导气管3的长度方向朝向所述坩埚2开口端。所述固定杆10、转接件20、连接杆30和取料斗40收容于导气管3内。所述固定杆10的一端用以滑动连接于所述导气管3远离所述坩埚2 —端，所述固定杆10另一端固定连接所述转接件20。所述转接件20可拆卸连接所述连接杆30的一端。所述连接杆30的长度方向平行于所述固定杆10的长度方向，所述连接杆30的另一端可拆卸连接所述取料斗40。所述取料斗40的开口方向平行于所述连接杆30的长度方向，并朝向所述固定杆10—侧。
[0034]通过所述取料斗40可拆卸连接于所述连接杆30上，并且所述连接杆30可拆卸于所述固定杆10上，从而实现所述取料斗40或所述连接杆30可以随意安装于所述多晶硅铸锭炉I上，从而方便对所述多晶硅铸锭炉I内的硅液进行提取，从而方便测试多晶硅铸锭的电阻率。
[0035]本实施方式中，所述炉体I为多晶硅铸锭炉的隔热炉，所述炉体I设置矩形块状，所述炉体I的一侧面设置有可以开合的隔热门(未图示)，用以向所述炉体I内放置所述坩埚2，添加硅料，或取出多晶硅。所述坩埚2的开口端朝向所述炉体I的顶端，所述导气管3的轴向竖直设置，所述导气管3用以导出所述炉体I内的废气。当然，在其他实施方式中，所述炉体还可以是设置圆柱状。
[0036]本实施方式中，所述固定杆10材质采用石英，从而使得所述硅液提取装置100不会掺入杂质到硅液中，进而不会影响多晶硅铸锭的电阻率。所述固定杆10的长度为1300mm?1810mm。具体的，所述固定杆10的长度为1500mm。所述固定杆10的一端1a插入所述导气管2远离所述坩埚3的一端的插孔(未图示)内，利用所述固定杆10的外壁与所述插孔内壁间隙配合，从而实现所述固定杆10的一端1a滑动连接于所述导气管2的一端。所述固定杆10的另一端1b设置有卡槽1c,所述卡槽1c的延伸方向垂直所述固定杆10的长度方向。当所述转接件20固定于所述固定杆10上时，所述卡槽1c插有销钉或者螺钉。在其他实施方式中，所述固定杆材质还可以采用石墨、或碳化硅、或氮化硅的任意一种稳定物质。
[0037]本实施方式中，所述转接件20为套筒，所述转接件20—端设置有第一固定孔21，另一端设有第二固定孔22。所述第一固定孔21内插入所述固定杆10，所述第二固定孔22插入所述连接杆30。所述转接件20的周壁上设有延伸至第一固定孔21的第一销钉孔21a。所述第一销钉孔21a与所述卡槽1c对应，所述第一销钉孔21a与所述卡槽1c共同插入销钉，所述转接件20固定于所述固定杆10上。所述转接件20的周壁上还设有延伸至所述第二固定孔22的第二销钉孔22a，所述第二销钉孔22a用以插入销钉，从而固定住所述连接杆20。在其他实施方式中，所述转接件还可以是在两端设置螺纹孔，从而所述转接件螺纹连接所述固定杆和所述连接杆。
[0038]本实施方式中，所述连接杆30材质采用石墨。由于石墨不与硅反应，或者是较弱的反应，从而所述连接杆30保证了连接杆30的结构稳固同时使得所述连接杆30不会掺入杂质到硅液中，进而不会影响多晶硅铸锭的电阻率。所述连接杆30的长度为200mm?500mm。具体的，所述连接杆30的长度为300mm。所述连接杆30的一端销钉连接于所述转接件20，另一端销钉连接于所述取料斗40。在其他实施方式中，所述连接杆材质还可以采用石英、或碳化硅、或氮化硅的任意一种稳定物质。
[0039]本实施方式中，当所述固定杆10的另一端沿远离所述多晶硅铸锭炉100顶端方向滑动时，所述取料斗40淹没于所述多晶硅铸锭炉100的硅液中；当所述固定杆10的另一端沿靠近所述多晶硅铸锭炉100顶端方向滑动时，所述取料斗40内提取硅液。所述取料斗40材质采用石墨，当所述取料斗40插入硅液中，所述取料斗40不与硅液反应，因而不会影响硅液的电阻率，从而使得所述硅液提取装置100使用效率增加。所述取料斗40包括收容腔41所述收容腔41开口方向平行于所述连接杆30的长度方向，所述收容腔41的开口端411和底端412均呈圆形。所述开口端411的圆心至所述底端412的圆心平行所述连接杆30的长度方向，且所述开口端411的直径大于所述底端412的直径。即，所述收容腔41的内壁倾斜，待所述取料斗40内的硅液冷凝成硅块后，从而方便取出硅块。另外，为了更好的取出硅块，在所述收容腔41的内壁设置粗糙表面，并且喷上一层氮化硅，进而对所述硅块进行保护。在其他实施方式中，所述收容腔还可以是方形的，所述取料斗的材质还可以采用石英、或碳化硅、或氮化硅的任意一种稳定物质。
[0040]进一步地，所述取料斗40设有插孔42，所述连接杆30远离所述固定杆10 —端插入所述插孔42内，并通过螺钉42a固定住所述取料斗40。
[0041]利用所述取料斗40螺钉连接于所述连接杆30上，从而方便从所述连接杆30上拆卸所述取料斗40，从而方便获得硅块，进而方便测试电阻率。
[0042]本实施方式中，所述取料斗40在所述收容腔41的外侧设置所述插孔42，所述插孔42的延伸方向平行于所述收容腔41的开口方向。同时所述取料斗40在周侧设有一个垂直所述插孔42延伸的螺纹孔43，所述螺纹孔43延伸至所述插孔42内。当所述插孔42内插有所述连接杆30时，在所述螺纹孔43内锁入所述螺钉42a，从而所述取料斗40固定于所述连接杆30上，所述螺钉42a材质为石墨。当松掉所述螺钉42a后，所述取料斗40可以从所述连接杆30上拆卸下来。即当所述收容腔41内盛放硅液后，待硅液冷凝成硅块，从所述连接杆30上拆卸掉所述取料斗40，从而在所述取料斗40上获得硅块，进而可以对硅块进行电阻率测试，从而得到多晶硅铸锭的电阻率，从而可以通过添加掺杂剂的办法控制所述多晶硅的电阻率。在其他实施方式中，所述取料斗还可以是通过卡合连接方式固定于所述连接杆上，所述螺钉还可以是石英、或碳化硅、或氮化硅的任意一种稳定物质。
[0043]本发明提供的硅液提取装置，通过所述转接件可拆卸连接所述连接杆的一端，所述连接杆的另一端可拆卸连接所述取料斗，所述取料斗的开口方向平行于所述连接杆的长度方向，并朝向所述固定杆一侧，实现对娃液的提取，从而方便对多晶娃铸锭的电阻率进行测试。
[0044]请一并参阅图1、图2和图3,本发明还提供一种多晶娃铸淀惨杂方法，所述多晶娃铸锭掺杂方法应用所述硅液提取装置100。所述多晶硅铸锭掺杂方法包括如下步骤:
[0045]101:在所述坩埚3中添加硅料，并将硅料加热，待硅料融化成硅液。
[0046]本实施方式中，向所述多晶硅铸锭炉I的坩埚(未图示)中添加硅料，开启所述多晶硅铸锭炉的加热器，对所述坩埚加热，使得所述硅料融化成硅液。
[0047]同时，调节所述取料斗40的水平位置，使得所述收容腔41的几何中心位于所述导气管3的中心轴上。调节固定杆10上下滑动，使得所述取料斗40收容于所述导气管3内，并保证所述取料斗40的底端端面距离所述导气管3的底端大于或等于5cm，具体的，调节所述取料斗40的底端端面距离所述导气管3的底端6cm。从而使得所述取料斗40的温度不会太高，而且取料斗40不会与导气管3内壁产生碰撞。在其他实施方式中，还可以调节所述取料斗底端端面距离所述导气管底端8cm。
[0048]102:将所述取料斗40插入所述硅液中，确保所述硅液淹没所述取料斗40。
[0049]本实施方式中，调节所述固定杆10向下移动，使得所述取料斗40被插入所述硅液中，当所述硅液淹没所述取料斗40，所述收容腔41内盛满硅液。
[0050]103:将载有娃液的取料斗40提升至所述导气管3内，待所述娃液凝固成娃块。
[0051]本实施方式中，当所述取料斗40盛满硅液后，调节所述固定杆10上行，使得所述取料斗40再次收容于所述导气管3内，将所述取料斗40停留在所述导气管3内半分钟，使得所述收容腔41内的硅液凝固成硅块。在其他实施方式中，也可以将所述取料斗停留在所述导气管内两分钟，以保证硅液充分冷却；也可以是将所述硅液提取装置取出所述多晶硅铸锭炉后在拆卸所述取料斗，从而获得所述硅块。
[0052]104:取出载有所述硅块的取料斗40，去掉所述取料斗40，测出所述硅块的电阻率值。
[0053]本实施方式中，将载有所述硅块的取料斗40从所述硅液提取装置100上拆卸掉，需对所述取料斗40进行加工，使得所述硅块脱离所述取料斗40。为了不损坏所述硅块，需对所述取料斗40进行打磨工艺。具体的，可以是将载有硅块的取料斗40放置于磨床，或者是通过手工打磨，将所述取料斗40完全磨削掉，从而获得硅块。在其他实施方式中，还可以是通过对所述取料斗进行切削工艺，将所述取料斗切削掉，获得所述硅块。
[0054]在获得所述硅块后，需要对所述硅块质量检测，以方便测试所述硅块的电阻率值更加准确。具体的，所述质量检测包括如下内容:
[0055]检测所述硅块表面是否带有杂质；
[0056]通过磨削所述取料斗40后获得所述硅块，需要对所述硅块表面进行检查，观察所述硅块表面是否有残余的石英杂质。若所述硅块表面含有杂质，则对所述硅块表面进行磨削去掉杂。
[0057]检测所述娃块表面是否平整；
[0058]通过观察所述硅块表面，检测所述硅块的测试区域是否含有凹陷或者凸起，从而避免所述硅块在进行电阻率测试时，影响测试结果。
[0059]检测所述硅块的测量厚度要求大于或等于5_ ；
[0060]当检测出所述硅块的测量厚度小于5mm时，需要重新提供所述取料斗40，并加深所述收容腔41的深度，然后重复所述步骤101?104，再次进行所述步骤105以获得测量厚度大于或等于5_的硅块。
[0061]所述硅块的测量区域要求大于电阻率探头的端面。
[0062]当检测出所述硅块的测量区域小于电阻率探头的端面时，需要重新提供所述取料斗40，并增大所述收容腔41的开口端口径，然后重复所述步骤101?104，再次进行所述步骤105以获得测量区域大于电阻率探头端面的硅块。
[0063]当检测所述硅块符合质量要求后，对所述硅块进行电阻率值测试。
[0064]对所述硅块进行电阻率值测试包括步骤:
[0065]对所述硅块的端面几何中心处测量电阻率；对所述硅块测量至少5次。
[0066]本实施方式中，通过对所述硅块的端面几何中心处测量电阻率，从而保证测量电阻率值的准确性。在对所述硅块测量6次后，记录每一次测量值，取6次测量值的平均值作为所述硅块电阻率值。在其他实施方式中，也可以是对所述硅块测量8次或者10次。
[0067]步骤105:根据所述电阻率值，向所述硅液掺杂。
[0068]在对所述硅块进行电阻率测试后，可以测得所述硅块为P型半导体或者N型半导体，以及获得所述硅块的电阻率值，将所述电阻率值与目标电阻率值进行比较。
[0069]当测得所述硅块为P型半导体，且电阻率低于目标电阻率时，需向硅液中加入第V族元素进行补偿。
[0070]测得所述硅块为P型半导体，则说明所述硅块中空穴浓度远大于自由电子浓度，若所述硅块的电阻率值低于目标电阻率值，则说明硅块中空穴浓度大于目标空穴浓度，从而说明在多晶硅铸锭炉中的硅液中空穴浓度大于目标空穴浓度。此时需要对所述硅液中加入第V族元素，本实施方式中，向所述硅液中添加入磷，从而使得所述硅液中多出自由电子与空穴进行复合，从而降低硅液中的净空穴浓度，使得多晶硅铸锭的达到目标电阻率值。
[0071]当测得所述硅块为P型半导体，且电阻率高于目标电阻率时，需向硅液中加入第III族元素进行掺杂。
[0072]测得所述硅块为P型半导体，则说明所述硅块中空穴浓度远大于自由电子浓度，若所述硅块的电阻率值高于目标电阻率值，则说明硅块中空穴浓度小于目标空穴浓度，从而说明在多晶硅铸锭炉中的硅液中空穴浓度小于目标空穴浓度。此时需要对所述硅液中加入第III族元素，本实施方式中，向所述硅液中添加入硼，从而使得所述硅液中多出空穴，从而增加硅液中的净空穴浓度，使得多晶硅铸锭的达到目标电阻率值。
[0073]当测得所述硅块为N型半导体，需向硅液中加入第III族元素进行掺杂，重复所述提取硅液步骤，以及所述测量硅块电阻率值步骤，直至测得所述硅块为P型半导体。
[0074]测得所述硅块为N型半导体，则说明所述硅块中自由电子浓度远大于空穴浓度，此时需要将所述硅液的调整为P型半导体，即向所述硅液中加入第III族元素，本实施方式中，向所述硅液中添加入硼，从而使得所述硅液中空穴浓度增加，进而使得硅液中空穴浓度大于自由电子浓度，即实现所述硅液为P型半导体。重复所述步骤103和步骤104，以测得所述硅块为P型半导体。进而根据电阻率值与目标电阻率值进行比较后，进行掺杂，以调整所述硅液的电阻率符合目标电阻率。
[0075]本发明提供的多晶硅铸锭掺杂方法，通过利用所述硅液提取装置提取硅液，待硅液冷凝成硅块后，对所述硅块进行电阻率测试，从而根据硅块的电阻率值向硅液中添加掺杂剂，从而制得电阻率均匀分布的多晶硅铸锭，提高了多晶硅铸锭的使用效率。
[0076]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种硅液提取装置，其特征在于，所述硅液提取装置包括炉体、坩埚、导气管、固定杆、转接件、连接杆和取料斗，所述炉体内收容所述坩埚，所述坩埚内用以放置硅液，所述导气管装于所述炉体顶端，所述导气管与所述炉体贯通，所述导气管的长度方向朝向所述坩埚开口端，所述固定杆、转接件、连接杆和取料斗收容于导气管内，所述固定杆的一端滑动连接于所述导气管远离所述坩埚一端，所述固定杆另一端固定连接所述转接件，所述转接件可拆卸连接所述连接杆的一端，所述连接杆的长度方向平行于所述固定杆的长度方向，所述连接杆的另一端可拆卸连接所述取料斗，所述取料斗的开口方向平行于所述连接杆的长度方向，并朝向所述固定杆一侧，所述取料斗随所述固定杆的滑动插入所述坩埚内，进而取出所述硅液。
2.根据权利要求1所述的硅液提取装置，其特征在于，所述连接杆的材质采用石墨、石英、碳化娃、氮化娃的任意一种稳定物质。
3.根据权利要求1所述的硅液提取装置，其特征在于，所述取料斗的材质采用石墨、石英、碳化娃、氮化娃的任意一种稳定物质。
4.根据权利要求1所述的硅液提取装置，其特征在于，所述取料斗设有插孔，所述连接杆远离所述固定杆一端插入所述插孔内，并通过螺钉固定住所述取料斗。
5.—种多晶娃铸锭掺杂方法,其特征在于,所述多晶娃铸锭掺杂方法应用权利要求1所述的硅液提取装置，所述多晶硅铸锭掺杂方法包括如下步骤: 在所述樹祸中添加娃料，并将娃料加热，待娃料融化成娃液； 将所述取料斗插入所述硅液中，确保所述硅液淹没所述取料斗； 将载有硅液的取料斗提升至所述导气管内，待所述硅液凝固成硅块； 取出载有所述硅块的取料斗，去掉所述取料斗，测出所述硅块的电阻率值； 根据所述电阻率值，向所述硅液掺杂。
6.根据权利要求5所述的多晶硅铸锭掺杂方法，其特征在于，在取出所述取料斗和硅块的步骤中，获得所述硅块后，对所述硅块进行质量检测，所述质量检测包括: 所述硅块表面是否带有杂质； 所述硅块表面是否平整； 硅块表面是否存在肉眼可见气孔； 所述硅块的测量厚度要求大于或等于5mm ； 所述硅块的测量区域要求大于电阻率探头的端面。
7.根据权利要求5所述的多晶硅铸锭掺杂方法，其特征在于，对所述硅块进行电阻率值测试包括步骤:对所述硅块的端面几何中心处测量电阻率；对所述硅块测量至少5次。
8.根据权利要求5所述的多晶硅铸锭掺杂方法，其特征在于，在根据所述电阻率值，向所述硅液中掺杂的步骤中， 当测得所述硅块为P型半导体，且电阻率低于目标电阻率时，需向硅液中加入第V族元素进行补偿； 当测得所述硅块为P型半导体，且电阻率高于目标电阻率时，需向硅液中加入第III族元素进行掺杂； 当测得所述硅块为N型半导体，需向硅液中加入第III族元素进行掺杂，重复所述提取硅液步骤，以及所述测量硅块电阻率值步骤，直至测得所述硅块为P型半导体。
9.根据权利要求5所述的多晶硅铸锭掺杂方法，其特征在于，在所述坩埚中添加硅料的步骤中，将所述取料斗的开口方向调整为竖直朝上，并调整所述取料斗的几何中心在所述导气管的中心轴上，确保所述取料斗的底端端面距离所述导气管的底部开口端大于或等于 5cm。
10.根据权利要求5所述的多晶硅铸锭掺杂方法，其特征在于，在取出所述取料斗和硅块的步骤中，将所述取料斗从所述硅液提取装置拆卸掉，并对所述取料斗进行打磨或者切削工艺，以获得所述硅块。
【文档编号】C30B29/06GK104451869SQ201410667680
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月20日 优先权日:2014年11月20日
【发明者】张学日, 毛伟, 何亮, 李松林, 胡动力 申请人:江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司